As protecções da câmara de nitreto de alumínio Material de Aln cerâmica

N ° de Modelo.
aluminum nitride ceramic aln material
módulo elástico
320 gpa
experiência de exportação
peças de cerâmica aln semicondutoras
vantagem
peças em cerâmica de nitreto de alumínio semicondutor
tamanho máx
od380 * 50 mm
utilização
condutividade térmica
tecnologia
nitreto de alumínio aln de pressão a quente
pureza
99.7% de alumínio nitreto aln
força flexural
350 mpa
palavra-chave
nitreto de alumínio hp aln
densidade
3,3g/cm3
condutividade térmica
> 180 w/m * k
nome
alumínio, cerâmica nitrida, material aln
Pacote de Transporte
Air Freight Safety Packing
Especificação
365*345*50mm
Marca Registrada
PENSC aln aluminum nitride
Origem
China
Código HS
6914900000
Capacidade de Produção
320000PCS Per Day
Preço de referência
$ 25.20 - 27.00

Descrição de Produto

  Perfil da empresa Shandong Pengcheng cerâmica avançada Co.,Ltd é criado desde o ano de 1997, o foco em materiais cerâmicos de nitreto de alumínio de ALN Research & produção.   A HP AlN cerâmicas, pureza de 99,5%, a condutividade térmica tem 140W/(m*K)210W/(m*K).   Possuía 44 conjuntos de fornos de vácuo e processamento de casado, equipamentos de testes, ranking primeira da China na saída,qualidade e volume de vendas. Prensagem a quente ALN aquecedor de cerâmica de nitreto de alumínio 24304-00-5 O nitreto de alumínio aln placa cerâmica prensagem a quente O nitreto de alumínio cerâmico de aln CES electro static de aperto O nitreto de alumínio aln componentes semicondutores de cerâmica Premir a quente de nitreto de alumínio aln placa de aquecimento em cerâmica Material de aln cerâmica de nitreto de alumínio descrição do Produto   Prensagem a quente ALN cerâmica de nitreto de alumínio - Grau de pureza elevada - Isolador Elétrico - Alta condutividade térmica - Material de gestão térmica crítica - Redução da geração de partículas - Resistência a erosão/corrosão - Propriedades elétricas controladas
Empenamento Densidade Ponto de fusão Resistividade RT Rigidez Dielétrica Uma constante Perda dielétrica Tensão de ruptura dielétrica Resistência à flexão Módulo de Young
<2,5‰ 3.3G/cm3 2053ºC 1014Ω·cm 8.8(1MHz) 5(1MHz) >15kv/mm 380MPa 340Gpa
Coeficiente de expansão térmica Calor Específico a RT Expansão Térmica Condutividade térmica Shape        
4.6.10-6/k) 740J/(kg.K) 5(10-6/K) 140-210W/m*K Customized        
  Aplicações típicas   - As chapas de cobertura e equipamento de MRI (ressonância magnética) - Detectores de alta potência, geradores de plasma, rádios militar - Alojamentos eletrostática e placas de aquecimento de semicondutores e circuitos integrados -  Material de vidro de microondas e infravermelhos   Embalagem e envio     Kevin Wang é o guy dispostos a alcançar a cooperação mutuamente vantajosa com a sua

 

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