IC de la SRAM de 4Mbit ES61WV25616BLL-10TLI

DescripcióN

Es61WV25616BLL-10TLI: SRAM asíNcrona de chip úNico de 2,5 a 3,3 V/4M bits 256K de 16 x 10 ns 44 Pines TSOP-II.

El paquete:TSOP II)-44

Mfr.La parte#:ES61WV25616BLL-10TLI

Mfr.:ISSI

Hoja de datos: 

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RoHS estado: 

Calidad:100% Original

GarantíA:180 díAs
 

El ISSI ES61WV25616BLLis alta velocidad, 4,194,304 bits carneros estáTica organizado como262,144 palabras de 16 bits.Es fabricados utilizando la highperformanceCMOStechnology ISSI.Thishighlyreliableprocesscoupled con innovadoras téCnicas de diseñO de circuitos yieldshigh, rendimiento y bajo consumo de energíA dispositivos.Cuando la CE\ es alta (desactivada), el dispositivo en modo astandby asume en el que la disipacióN de potencia puede ser reduceddown CMOS con niveles de entrada.FáCil ampliacióN de la memoria es proporcionada por el uso de Chip Enableand entradas de activacióN de salida, CE\ y OE\.El activo LOWWrite Activar (NOS)\ controla tanto la escritura y lectura de thememory.Un byte de datos permite que el byte superior (UB)\ y LowerByte (LB)\ el acceso.El61WV25616BLL ispackaged en el estáNdar JEDEC 44-pin 400mil SOJ,44-pin TSOP Tipo II y 48-pin mini BGA (6mm x 8mm).

CaracteríSticas clave

• Acceso de alta velocidad el tiempo:8, 10, 20 ns
• Baja:85 mW de potencia activa (tíPico)
• Baja alimentacióN de reserva:7 mW (tíPico) CMOS DE BAJA POTENCIA EN ESPERA:Se2561661/64WV ALS/BLS)
• El tiempo de acceso de alta velocidad:25, 35, 45 ns
• Baja:35 mW de potencia activa (tíPico)
• Baja de 0,6 mW de energíA de espera:(tíPico) espera CMOS
• Una fuente de alimentacióN
  • Vdd 1,65V de 2,2 V (61WV25616Axx)
  • Vdd 2,4V a 3,6 V (61/64WV25616Bxx)
• Funcionamiento estáTico totalmente:No es necesario actualizar el reloj o
• Tres salidas de estado
• Control de datos para la parte superior e inferior de bytes
• El apoyo de la temperatura industriales y de automocióN
• Disponible sin plomo.

La líNea de productos de la empresa

 

Los certificados



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