PARÁMETRO
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SÍMBOLO
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CLASIFICACIÓN
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UNIDAD
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Tensión del colector-emisor
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VCES
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650
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V
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Voltaje del emisor de la puerta
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VGES
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±20
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V
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Corriente de colector
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IC
(T=25ºC)
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100
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R
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Corriente de colector
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(TC = 100ºC)
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50
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R
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Corriente de colector pulsada
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ICM
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150
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R
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Diodo corriente continua de avance
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SI
@TC = 100 °C.
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25
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R
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Corriente de avance máxima del diodo
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IFM
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125
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R
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Disipación total
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TC
=25ºC.
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PD
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280
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W
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TC
=100ºC.
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PD
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110
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W
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Temperatura de unión
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TJ
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150
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ºC
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Temperatura de almacenamiento
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Tstg
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-55~150
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ºC
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50A 650V Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop
Descripción
Usando el diseño y avance de la trinchera de Donghai
FS, el 650V FS IGBT ofrece superior y.
cambiando las actuaciones, alta resistencia a las avalanchas
funcionamiento en paralelo sencillo
Características
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FS Trench Technology, coeficiente de temperatura positivo
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Voltaje de saturación bajo: VCE(sat),TYP=1,9V @IC=50A,VGE=15V
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Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
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Aplicaciones
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máquina de soldadura
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Inversor solar
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UPS
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Inversor de frecuencia de conmutación media y alta
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Especificaciones del producto y modelos de embalaje
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Modelo de producto
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Tipo de paquete
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Marcar nombre
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RoHS
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Paquete
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Cantidad
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G50T65D
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TO-3PN
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G50T65D
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Sin PB
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Tubo
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300/caja
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