Excelente conducción y pérdida de conmutación a247-F 800W75n65hsmf Ost 30V Fabricante Transistor Bipolar de Puerta de Trident

No. de Modelo.
OST75N65HSMF
Modelo
ST
Número De Lote
2010 +
Marca
Orientalsemi
feature3
excelente estabilidad y uniformidad
feature4
diodo antiparalelo rápido y suave
feature2
excelente conducción y pérdida de conmutación
feature1
tecnología avanzada de tgbttm
Paquete de Transporte
Air
Especificación
35*30*37cm
Marca Comercial
Orientalsemi
Origen
China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1kk/Month
Precio de referencia
$ 2.70 - 22.50
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Descripción de Producto

Descripción general
OST75N65HSMF utiliza avanzadas Oriental-Semi Trident-Gate patentado (Transistor Bipolar TGBTTM) tecnología para proporcionar extremadamente baja VCE(Sat), bajo la puerta de carga, y excelente rendimiento de conmutación. Este dispositivo es adecuado para la gama media y alta frecuencia de conmutación convertidores.

Características
  La tecnología avanzada TGBTTM
Excelente conducción y pérdida de conmutación
Excelente estabilidad y uniformidad
Diodo antiparallel rápido y suave

Aplicaciones
Los convertidores de inducción
Fuentes de alimentación ininterrumpida

Excellent Conduction and Switching Loss To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Manufacturer Trident Gate Bipolar Transistor

Excellent Conduction and Switching Loss To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Manufacturer Trident Gate Bipolar Transistor

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La cadena de suministro

Excellent Conduction and Switching Loss To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Manufacturer Trident Gate Bipolar Transistor



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