Transistor bipolar de puerta aislada IGBT G15n60d to-220F

No. de Modelo.
G15N60D
Número De Lote
2023
Marca
Wxdh
actual
15A
voltaje
600V
Paquete de Transporte
Tube
Marca Comercial
WXDH
Origen
Wuxi, China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
500000000 Pieces/Year
Precio de referencia
$ 0.01 - 13.50
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Descripción de Producto

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n60d to-220f Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n60d to-220f Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n60d to-220f Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n60d to-220f
PARÁMETRO SÍMBOLO CLASIFICACIÓN UNIDAD
 
Tensión del colector-emisor VCES 600 V
Voltaje del emisor de la puerta VGES ±20 V
Corriente de colector IC (T=25ºC) 30 R
Corriente de colector   (TC = 100ºC) 15 R
Corriente de colector pulsada ICM 45 R
Diodo corriente continua de avance SI   @TC = 100 °C. 10 R
Corriente de avance máxima del diodo IFM 30 R
Disipación total TC =25ºC. PD 50 W
TC =100ºC. PD 20 W
Temperatura de unión TJ 150 ºC
Temperatura de almacenamiento Tstg -55~150 ºC
 
Características
FS Trench Technology, coeficiente de temperatura positivo
Tensión de saturación baja: VCE (sat) , típ = 2,0V
@ IC =15A Y VGE15V
Aplicaciones
Control del motor
Inversor solar
UPS
Convertidor de frecuencia de conmutación media y alta
 
Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto Tipo de paquete Marcar nombre RoHS Paquete Cantidad
G15N60D TO-220F G15N60D Sin PB Tubo 1000/caja
 

 

Semiconductor

PNEUTEC.IT, 2023