MJD50T4G Trans : GP BJT NPN 400V 1 A 3 patas(2+Tab) DPAK T/R
Mfr. La parte#: MJD50T4G
Mfr.:
Hoja de datos:
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RoHS estado:
Calidad: 100% Original
Garantía: UN AÑO
Atributos del producto | El valor del atributo | Buscar similares |
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Fabricante: | Onsemi | |
Categoría del producto: | - BJT transistor bipolar | |
RoHS: | Más detalles | |
Estilo de montaje: | SMD/SMT | |
Package / Caso: | A-252-3 | |
El transistor Polaridad: | NPN | |
Configuración: | Solo | |
La tensión colector - Emisor VCEO Max: | 400 V | |
La tensión Base-colector VCBO: | 500 V | |
La tensión base-emisor VEBO: | 5 V | |
Tensión de saturación del Collector-Emitter: | 1 V | |
La máxima corriente de colector de DC: | 1 | |
Pd: disipación de energía: | 15 W | |
El ancho de banda de ganancia producto fT: | 10 MHz | |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 65 C | |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C | |
Serie: | MJD50 | |
Embalaje: | El tambor | |
Embalaje: | Cortar la cinta | |
Embalaje: | MouseReel | |
Marca: | Onsemi | |
Coleccionista de continuo de corriente: | 1 | |
Coleccionista de DC/ganancia de la base de HFE Min: | 30 | |
Altura: | 2,38 mm | |
Longitud: | 6,73 mm | |
Tipo de producto: | BJTs - Transistores Bipolares | |
Cantidad de paquetes de fábrica: | 2500 | |
Subcategoría: | Los transistores | |
Tecnología: | Si | |
Ancho: | 6,22 mm | |
Unidad de peso: | 0.012381 oz. |
Aviso: