SI2318CD-T1-GE3 CD2318IS transistor MOSFET

No. de Modelo.
SI2318CDS-T1-GE3
Estructura
Difusión
Material
Silicio
paquete
SOT-23
D/C
18+
calidad
original nuevo
MFG.
VISHAY
Paquete de Transporte
Box
Especificación
integrated circuit
Origen
China
Código del HS
8542390000
Capacidad de Producción
1000000PCS
Precio de referencia
$ 0.11 - 13.50
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Descripción de Producto

DescripcióN

SI2318CD-T1-GE3 :   Trans MOSFET N-CH 40 V 4.3A 3 Polos SOT-23 T/R - Cinta y Reel  

El paquete:SOT-23.

Mfr.La parte#: SI2318CD-T1-GE3

Mfr.:De Vishay

Hoja de datos: 
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS trans mosfet transistor
(E-mail o chat nosotros en archivo PDF)

RoHS estado: 
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS trans mosfet transistor

Calidad:100% Original

GarantíA:180 díAs
 

 

El Estado parte Activo
Tipo FET Canal N
La tecnologíA (MOSFET de óXido metáLico)
Vaciar a la fuente de tensióN (Vdss) 40V
- Drenaje de corriente continua (Id) de @ a 25°C 5.6A (Tc)
La tensióN de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS). 4,5 V, 10V
Rds activado (máX.) @ Id, Vgs 42 mOhm 4.3A @, 10V
Vgs(a) (máX.) @ Id. @ De 2.5V 250µA
La compuerta de carga (QG) (máX.) @ Vgs 9nC @ 10V
Vgs (máX.). ±20 V
La capacitancia de entrada (CISS) (máX.) @ Vds. 340pF @ 20V
La caracteríStica de FET -
DisipacióN de potencia (máX.). 1,25W (Ta), 2.1W (Tc)
La temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
El paquete del dispositivo de proveedor SOT-23-3 (A-236)
Package / Caso A-236-3, SC-59, SOT-23-3
 

 

La líNea de productos de la empresa



SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS trans mosfet transistor








 


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Los certificados

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Los detalles de embalaje de productos



 

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