El InGaAs Mini PD es un fotodiodo de tamaño pequeño hecho de material InGaAs que ofrece una alta responsividad en la región NIR del espectro. Estos fotodiodos son altamente sensibles a la luz en el rango de longitud de onda de alrededor de 900 a 1650 nanómetros (nm). Se utilizan ampliamente en sistemas de comunicación de fibra óptica, instrumentos ópticos y otras aplicaciones en las que se requiere una alta sensibilidad en la región NIR del espectro.
Características
Alta linealidad, diámetro de 70um acrive
Funcionamiento de longitud de onda larga
Corriente oscura baja
Alta capacidad de respuesta
Excelente fiabilidad
Aplicaciones
Supervisión de la alimentación
Medición óptica
Sistema AM CATV
Receptor de detección óptica
Clasificaciones máximas absolutas | |
Temperatura de almacenamiento | -40~+85ºC. |
Tensión inversa PD | 20V |
Potencia óptica de entrada | 6MW |
Corriente de avance | 10mA |
Corriente inversa | 10uA |
Temperatura de soldadura | 260/10ºC/s |
Condiciones de funcionamiento recomendadas | |
Temperatura de funcionamiento | -40~+85ºC. |
Tensión inversa PD | 5V |
Opto - Características eléctricas | |
Longitud de onda óptica | 900~1650nm |
Capacidad de respuesta | 0,95A/W |
Corriente oscura | 0,1nA |
Capacitancia | 0,45pF |
-3dB frecuencia de corte | 2,0GHz |
Distorsión de intermodulación de segundo orden | -65dBc |
Distorsión de intermodulación de tercer orden | -70dBc |
Diámetro de acrive | 70um |
Entrega y embalaje