TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Productos de semiconductores discretos
Transistores
FETs, MOSFET
FETs simples, MOSFET
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Serie
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Automoción, AEC-Q101
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
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Estado del producto
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Activo
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Tipo de FET
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Canal N.
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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40 V.
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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95A (TC)
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Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
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10V
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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4,5mOhm @ 50A, 10V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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4V a 250µA
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Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
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49,1 NC a 10 V.
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VGS (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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3062 pF a 20 V.
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Disipación de potencia (máx.)
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2,1W (ta), 100W (TC)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete de dispositivo de proveedor
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TO-252-3
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Paquete / caja
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TO-252-3, DPAK (2 derivaciones + lengüeta), SC-63
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Número de producto base
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DMTH4005
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