Categoría
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Los productos semiconductores discretos
Los transistores
FETs, MOSFETs
Solo FETs, MOSFETs
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Mfr
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STMicroelectronics
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Serie
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MDmesh™ DM2
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Paquete
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El estado del producto
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Tipo FET
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Canal N
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La tecnología
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(MOSFET de óxido metálico)
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Vaciar a la fuente de tensión (Vdss)
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600 V
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Actual - Drenaje continuo (Id) de @ a 25°C
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40A (Tc)
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La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS).
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Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
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79mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(a) (máx.) @ Id.
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La compuerta de carga (QG) (máx.) @ Vgs
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Vgs (máx.).
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La capacitancia de entrada (CISS) (máx.) @ Vds.
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La característica de FET
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Disipación de potencia (máx.).
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La temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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A través del agujero
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El paquete del dispositivo de proveedor
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Package / Caso
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A-247-3
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El número de producto de la base
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STW48
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