Parámetros eléctricos | |||||
Módulo | GS650M-132 ~ GS670M-132 | ||||
Encapsulación | Clase/Eva/celda/Eva/hoja de respaldo | ||||
Potencia máxima Pmáx. (W) | 650 | ||||
Tensión de alimentación máxima (VMP/V) | 37,80 | ||||
Corriente de potencia máxima (Imp/A) | 17,20 | ||||
Tensión de circuito abierto (VOC/V) | 45,20 | ||||
Cortocircuito en moneda (ISC/A) | 18,26 | ||||
Eficiencia del módulo (%) | 20,90 | ||||
Tolerancia de potencia (W) | 0~+5W | ||||
Coeficiente de temperatura de ISC(αIsc) | +0,043%/ºC | ||||
Coeficiente de temperatura de COV (βVoc) | -0,26%/ºC | ||||
Coeficiente de temperatura de Pmax(γVoc) | -0,36%/ºC | ||||
STC | Irradiancia 1000W/m2, temperatura de la celda 25ºC, masa de aire 1,5 | ||||