Serverleistung DC/DC High Powetopologies extrem schnelle und robuste Gehäuse-Diode FRD Osg65r038hzf TO247 VdS, Min @ Tj (max) 700V 38mΩ Power MOSFET

Modell Nr.
OSG65R038HZF TO247
Modell
PC817
Chargennummer
2010+
Marke
Orimental
Anwendungen
pc-Stromversorgung
Branchen
led-Beleuchtung
Eigenschaften
Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
beschreibung
Extrem geringe Schaltverluste
Transportpaket
Air
Spezifikation
60*13*23cm/35.5*30*37cm
Warenzeichen
Orientalsemiconductor
Herkunft
China
HS-Code
854129000
Produktionskapazität
20kkkk/Monthly
Referenzpreis
$ 0.16 - 0.18
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Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS ® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS ® Z-Serie ist mit einer Fast Recovery Diode (FRD) integriert, um die Rückkehrzeit zu minimieren. Es eignet sich für resonante Schalttopologien, um einen höheren Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und einen kleineren Formfaktor zu erreichen.

Funktionen
  • NIEDRIGER RDS (EIN) UND FOM
  • Extrem geringe Schaltverluste
  • Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
  • Ultraschnelle und robuste Diode

Anwendungen                                                                                             
  • PC -Stromversorgung
  • Telekommunikationsleistung
  • Serverleistung
  • EV -Ladegerät
  • Motortreiber


Wichtige Leistungsparameter
 
Parameter Wert Einheit
VDS , min . @ Tj (max) 650 V
ID , Impuls 240 A
RDS (EIN), MAX . @ VGS =10V 30 MΩ
Qg 178 NC

Markierungsinformationen
 
Produktname Paket Markierung
OSG60R030HZF TO247 OSG60R030HZ
Absolute Höchstwerte bei Tj =25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Spannung der Abflussquelle VDS 600 V
Gate-Source -Spannung VGS ±30 V
Dauerablauf current1 ) , TC = 25 Grad
ID 		80
A
Dauerablauf current1 ) , TC = 100 Grad 50
Gepulster Ablauf current2 ) , TC = 25 oC ID , Impuls 240 A
Dauerdiode vorwärts current1 ) , TC =25 Grad IST 80 A
Diode gepulst current2 ) , TC =25 oC IS , Puls 240 A
Leistung dissipation3 ) , TC = 25 Grad PD 480 W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5 ) EAS 2500 MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS =0…480 V dv/dt 50 V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS =0…480 V, ISD ≤ID dv/dt 50 V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur Tstg , Tj -55 bis 150 GRAD

Thermische Eigenschaften
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse RθJC 0,26 C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma- ambient4 ) RθJA 62 C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj =25 oC, sofern nicht anders angegeben
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle BVDSS 600     V VGS =0 V, ID =1 MA
Gate-Schwellenspannung VGS (th) 3,0   4,5 V VDS =VGS , ID =2 MA,

Abflussquelle
Widerstand im Zustand „ein“
RDS (EIN) 		  0,028 0,030
Ω 		VGS =10 V, ID =40 A
  0,058   VGS =10 V, ID =40 A, TJ =150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle
IGSS 		    100
Entfällt 		VGS = 30 V
    -100 VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle IDSS     10 μA VDS = 600 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand RG   2,1   Ω ƒ=1 MHz, offener Drain


Dynamische Merkmale
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Eingangskapazität Ciss   9343   PF
VGS = 0 V, VDS = 50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität Coss   708   PF
Kapazität der Umkehrübertragung Crs   15   PF
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen Co (er)   345   PF
VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen Co (tr)   1913   PF
Einschaltverzögerung td (ein)   52,1   ns
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 Ω, ID =40 A
Anstiegszeit tr   105,2   ns
Verzögerungszeit ausschalten td (aus)   125,7   ns
Herbstzeit tf   4,1   ns

Gate-Ladeeigenschaften
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate Qg   177,9   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =40 A
Gate-Source -Gebühr Qgs   37,4   NC
Gate-Drain -Ladung Qgd   78,4   NC
Gate-Plateauspannung Vplateau   6,2   V

Eigenschaften Der Körperdiode
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung VSD     1,4 V IS =80 A, VGS =0 V
Rückfahrzeit trr   186,6   ns
IST = 40 A,
Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung Qrr   1,6   μC
Spitzenstrom für Rücklauf Irrm   15,4   A

Hinweis
  1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur .
  2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur .
  3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
  4. VDD =100 V, VGS =10 V, L=80 mH, Start Tj =25 Grad

 

Transistor

PNEUTEC.IT, 2023