TI Bq77905 batterie gestion de charge protection de surveillance de tension de puce composants électroniques circuit intégré.

Informations de qualité

• Mode NORMAL : 6 µA (BQ77904 et BQ77905)
• Ensemble complet de protections de tension, courant et température
• Comptage de cellules évolutif de la série 3 à la série 20 ou plus
• Protection de tension (précision ±10 mV)
  • Surtension : 3 V à 4.575 V.
  • Sous-tension : 1.2 V à 3 V.
• Détection de cellule ouverte et de fil ouvert (OW)
• Protection actuelle
  • Décharge de surintensité 1 : -10 mV à -85 mV
  • Décharge de surintensité 2 : -20 mV à +170 mV
  • Décharge de court-circuit : -40 mV à +340 mV
  • Précision ±20% pour ≤ 20 mV, ±30% pour > 20 mV à pleine température
• Protection contre la température
  • Charge en surchauffe : 45°C ou 50°C.
  • Décharge en surchauffe : 65°C ou 70°C.
  • Charge en cas de température insuffisante : -5°C ou 0°C.
  • Décharge sous-température : -20°C ou -10°C.
• Fonctions supplémentaires
  • Drivers FET de charge (CHG) et de décharge (DSG) indépendants
  • Valeur nominale maximale absolue de 36 V par entrée de cellule
  • Fonctions d'auto-test intégrées pour une fiabilité élevée
• Mode D'ARRÊT : 0.5-µA maximum
• Capacité de sécurité fonctionnelle
  • Documentation disponible pour faciliter la conception du système de sécurité fonctionnel

Les circuits BQ77904 et BQ77905 sont des protections de bloc-batterie à faible consommation qui mettent en œuvre une série de protections de tension, de courant et de température sans contrôle de microcontrôleur (MCU). L'interface empilable du dispositif permet une mise à l'échelle simple pour prendre en charge les applications de piles de la série 3 à la série 20 ou plus. Les seuils et délais de protection sont programmés en usine et disponibles dans diverses configurations. Des seuils de surchauffe et de sous-température distincts pour la décharge (OTD et UTD) et la charge (OTC et UTC) sont fournis pour une plus grande flexibilité.

Le dispositif assure la protection des paquets grâce aux drivers intégrés FET NMOS basse pression CHG et DSG indépendants, qui peuvent être désactivés par deux broches de contrôle. Ces broches de contrôle peuvent également être utilisées pour obtenir des solutions de protection de cellule pour les séries supérieures (série 6 et ultérieures) de manière simple et économique. Pour ce faire, il suffit de transmettre en cascade les sorties CHG et DSG d'un dispositif supérieur aux broches de contrôle inférieures immédiates du dispositif. Pour un nombre réduit de composants, toutes les défaillances de protection utilisent des temporisateurs internes.