Transistors bipolaires - transistor haute tension NPN BJT Fjv42mtf intégré Puces IC de contrôleurs de circuit

N° de Modèle.
FJV42MTF
type de transistor
NPN
dissipation de puissance maximale
350 mw
Maximum Vce Saturation Value for Differe
0.5V@2mA, 20mA
Vebo- Maximum Emitter Base Voltage
6 v.
Collector Cutoff Current
0,1 μa
courant collecteur
0,5a
Disposition
simple
volume de saturation maximum de l′émetteur du collecteur
0.5V@2mA, 20mA
type de produit
composant électronique
montage
Patch Mounting
emballage
ruban et bobine
package
Sot-23-3, Sc-59, to-236-3
rohs
conformité
Vceo- Collector-Emitter Maximum Voltage
350 v.
Vcbo- Maximum Collector Base Voltage
350 v.
Paquet de Transport
Tray
Spécifications
2.9*1.3*0.94mm
Marque Déposée
Onsemi
Origine
Shenzhen
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000
Prix de référence
$ 0.01 - 0.06
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Description de Produit


Bipolar Transistors - Bjt NPN High Voltage Transistor Fjv42mtf Integrated Circuit Controllers IC Chips

Fabricant : en demi-place
Catégorie de produit : Transistors bipolaires - BJT
RoHS :  Détails
Type de montage : CMS/CMS
Emballage/caisse : SOT-23-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Simple
Tension d'émetteur du collecteur VCEO max : 350 V.
Collecteur - tension de base VCBO : 350 V.
Emetteur - tension de base VEBO : 6 V.
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Courant maximum du collecteur c.c. : 500 mA
PD - dissipation de puissance : 350 mW
Gain de bande passante produit ft : 50 MHz
Température de fonctionnement minimale : -ºC
Température de fonctionnement maximale : + 150ºC
Série : FJV42MTF
Emballage : Rabatteur
Emballage : Couper le ruban
Emballage : MouseReel
Marque : Onsemi / Fairchild
Courant collecteur continu : 500 mA
Gain de base/collecteur DC hfe min : 40
Type de produit : BJTs - transistors bipolaires
Quantité de l'emballage d'usine : 3000
Sous-catégorie : Transistors
Technologie : Si
Poids de l'unité : 0.000282 oz

Bipolar Transistors - Bjt NPN High Voltage Transistor Fjv42mtf Integrated Circuit Controllers IC Chips
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