MOSFET de puissance 4 a 800 V à canal N amélioré F4n80 to- 220f

N° de Modèle.
F4N80
Numéro de lot
2023
Marque
Wxdh
actuel
4a
tension
800 v.
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year
Prix de référence
$ 0.01 - 13.50
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Description de Produit

4A 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F4n80 to-220f 4A 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F4n80 to-220f 4A 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F4n80 to-220f 4A 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F4n80 to-220f
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
4N80/I4N80/E4N80 F4N80  
Tension source-Drian VDSS 800 V
Tension porte-à-source VGSS ±30 V
Courant de vidange (continu) ID (T=25 ºC) 4 A
(T=100 ºC) 2.5 A
Courant de vidange (pulsé) IDM 16 A
Énergie d'avalanche à impulsion unique EAS 460 MJ
Récupération de diode de crête dv/dt dv/dt 5 V/ns
Dissipation totale Ta = 25 ºC Ptot 2 2 W
TC=25 ºC Ptot 75 30 W
Température de jonction TJ -55 à 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Fonctionnalités
Commutation rapide
Capacité améliorée ESD
Faible RÉSISTANCE
Faible charge de grille
Capacité de transfert inverse faible
Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %
100 % ΔVDS Test
Applications
Circuit de commutateur D'alimentation LED
Ballast électronique
Transformateur électronique
Alimentation à découpage
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
4N80 TO-220C 4N80 Sans PB Tube 1000/boîte
F4N80 TO-220F F4N80 Sans PB Tube 1000/boîte
I4N80 TO-262 I4N80 Sans PB Tube 1000/boîte
E4N80 TO-263 E4N80 Sans PB Ruban et bobine 800/boîte
 

 

Semi-Conducteur

PNEUTEC.IT, 2023