Más dispositivo láser |
1.La
alta eficiencia, alta fiabilidad
2.La industria 1064nm 1085nm junto el diodo láser de fibra 100mW 300mW 600mW 1000mW 3.La industria Láser acoplado de fibra óptica de 790nm792NM795nm 2500mW 3W 4.La industria Láser acoplado de fibra 980nm 200mW500mW1W2W3W4W 5.La industria láser 808nm de acoplados de fibra 5W6W8W10W 6.fibra de la industria, junto fuente láser 980nm 5000mW/5W/10W 7.La industria junto el módulo de diodo láser de fibra 1064nm1500mW2W3W/1085nm500mW1W 8.fibra de la industria junto sistema láser 780nm 10mW50mW100mW 9.Professional acoplado de fibra de puntero láser 790nm792nm 5W8W10W 10.fibra láser profesional acoplado costo 1177nm 100mW200mW300mW 11.fibra profesional junto el diodo láser azul 808nm 100mW1W2W3W4W 12.fibra profesional junto el diodo láser 850nm8W10W 860nm 865nm5W10W18W27W36W 13.Professional acoplado de fibra de alta potencia del láser 980nm 20W30W38W48W 14.De fibra de profesionales de la noche junto el diodo láser 850nm 860nm870NM500mW1W2W3W 15.Professional fibra monomodo junto el diodo láser 1047/1053nm 100mW500mW1000W1500mW 16.Professional de fibra de alta potencia, junto el diodo láser 940nm700mW1W2W3W/960nm500mW1 17.La investigación científica 1064 nm junto el diodo láser de fibra 4W5W6W8W10W15W 18.La investigación científica de fibra de láser verde junto 1470nm1550nm 1000mW1500mW 19.La investigación científica, junto el módulo de fibra de láser 808nm 15W18W25W30W36W40W50W60W70W100W 20.La investigación científica láser semiconductor 1342nm 1000mW1W1500mW 21.La investigación científica de diodo láser diodo semiconductor 915nm de 3W3000mW 4W4000mW 22.La investigación científica los dispositivos láser semiconductor 1064nm 23.La investigación científica 1342nm 100mW500mW láser semiconductor UV 24.La investigación científica 946nm a 50mW 100mW 150mW 200mW láser semiconductores importado de América |
El modelo | LSR980H |
La longitud de onda | 980(+/-5) nm |
Modo de punto | La fibra multimodo |
La potencia de salida | 4W, 5W, 6W, 7W |
El modo de funcionamiento | CW o modulación |
La polarización | 10:1 |
La estabilidad direccional | <0,05 mrad |
Diámetro del haz (1/e 2 ) | 6mm |
Ángulo de divergencia del haz | 2,5 mrad |
La estabilidad de potencia | <±3% 2 hrs. |
La altura de la luz | 29mm |
Estabilidad de temperatura | TEC |
Tiempo de precalentamiento | <5 minutos |
Calidad del rayo (M 2 ) | <2 |
20 a 30 oc. | |
La temperatura de almacenamiento | 10 a 50 oC. |
La vida | 10,000 hrs. |
Tamaño de la láser | 155(L)x77(W)x60(H)mm3 |
Fuente de alimentación |
A. TIPO OEM
Rmc-PS-NI: 100(L)x70(W)x55(H)mm3 AC/DC PSU: 85~265V 50/60 Hz input |
B. Tipo de laboratorio
Rmc-PS-F: 238(W)x146(D)x94(H)mm3 De entrada de 85~265V 50/60 Hz |
|
C. ajustable tipo de laboratorio
Rmc-PS-FA: 178(W)x197(D)x84(H) mm3 |
|
El modo de modulación | 0~30khz analógica o TTL |
El modelo | LSR1064NL |
La longitud de onda | 1064 nm |
Modo de punto | TEM00 |
La potencia de salida | 100 1500 mW... |
Los métodos de trabajo | CW o modulación |
Grosor de línea | <0,1 nm |
Modo de polarización | 100:1 |
Forma de spot | Circular, la relación de aspecto<1.1:1 |
La estabilidad direccional | <0,05 mrad |
Diámetro del haz (1/e2) | 1,5 mm |
Ángulo de divergencia del haz | 1,2 mrad |
La estabilidad de potencia | <±3% 2 hrs. |
Modo de refrigeración | TEC |
Tiempo de precalentamiento | <5 minutos |
Calidad del rayo (M2) | <1,2 |
20 a 30oc. | |
La temperatura de almacenamiento | 10~50ºC<-US:p> |
La vida de servicio | 5000 hrs. |
Tamaño de la láser |
100(L)x40(W)x50(H) mm
(10/20mm de espesor en la parte superior del ventilador por solicitud) |
El peso | 400g |
Otro parámetro dispositivo láser |
355nm láser UV (estado sólido)
375/395nm semiconductor UV 405nm láser de color púrpura (semiconductor) 410~430nm semiconductor 440~450/455nm de luz azul (semiconductor 457 nm (semiconductor) láser azul 460/465/470nm de luz azul (semiconductor) 473nm de estado sólido (láser azul) 488nm (semiconductor) láser azul 505/520-530nm luz verde (semiconductor) 532nm de estado sólido (láser verde) 543/561nm verde de estado sólido (láser) 589nm de estado sólido (láser de color amarillo) 670/671nm láser rojo 635/637/638nm de luz roja (semiconductor) 650/655/660nm de luz roja (semiconductor) 685/689nm luz roja (semiconductor) 780/785~795nm infrared (semiconductor) Láser de infrarrojos de 808nm (semiconductor) 825/860/880nm infrared (semiconductor) 915/940nm láser infrarrojo (semiconductor) 946nm de estado sólido (láser infrarrojo) 976/980nm láser infrarrojo (semiconductor) 1030/1047/1053nm (sólido) 1064nm láser infrarrojo (solid state, semiconductor) 1177/1342nm láser infrarrojo (estado sólido) 1270/1310/1330/1380 1470/1550nm láser infrarrojo (semiconductor 1605/1615nm semiconductor de infrarrojos 1650/1710nm semiconductor de infrarrojos 1920/1940nm semiconductor de infrarrojos |
Controlador de diodo láser | |
Departamento de trabajo actual de la unidad | 0 a 2.0A |
El límite de corriente de la unidad del Departamento de trabajo | 0.05 ~ 2.0A |
Modulación externa | DC~30khz TTL & Analog |
Estabilidad de temperatura | |
Corriente de accionamiento de la TEC Max. | 3.0A |
La tensión de la unidad de la TEC Max. | 5,0 V |
El control de temperatura | <0.1oC |
Rango de control de temperatura | 5 a 40oC. |
Especificaciones generales | |
La temperatura de funcionamiento | 0 a 50oC. |
La tensión de entrada | 5VCC |
El peso | 120g |
El tamaño | 100(L)x58(W)x32(H)mm3 |
Controlador de diodo láser-LSR-PS-II
|
|
Departamento de trabajo actual de la unidad | 0~3,0 un |
Modulación externa | DC~30khz 0~5Analógico V /TTL |
Estabilidad de temperatura | |
Corriente de accionamiento de la TEC Max. | 3.0 Un |
La tensión de la unidad de la TEC Max. | 5,0 V |
El control de temperatura | <0.1oC |
Rango de control de temperatura | 5 a 40oC. |
Especificaciones generales | |
La temperatura de funcionamiento | 0 a 50oC. |
La tensión de entrada | 85 A 265VAC, 50/60 Hz |
El peso | 1020g |
El tamaño | 179(L)x148(W)x56(H)mm3 |
Controlador de diodo láser-LSR-PS-IIS | |
Departamento de trabajo actual de la unidad | 0 a 2.0A |
El límite de corriente de la unidad del Departamento de trabajo | 0.05 ~ 2.0A |
Modulación externa | DC~30khz TTL & Analog |
Estabilidad de temperatura | |
Corriente de accionamiento de la TEC Max. | 3.0A |
La tensión de la unidad de la TEC Max. | 5,0 V |
El control de temperatura | <0.1oC |
Rango de control de temperatura | 5 a 40oC. |
Especificaciones generales | |
La temperatura de funcionamiento | 0 a 50oC. |
La tensión de entrada | 5VCC |
El peso | 120g |
El tamaño | 104(L)x128(W)x89(H)mm3 |
Controlador de diodo láser-LSR-PS-I. | |
Departamento de trabajo actual de la unidad | 0 a 2.0A |
El límite de corriente de la unidad del Departamento de trabajo | 0.05 ~ 2.0A |
Modulación externa | DC~30khz TTL & Analog |
Estabilidad de temperatura | |
Corriente de accionamiento de la TEC Max. | 3.0A |
La tensión de la unidad de la TEC Max. | 5,0 V |
El control de temperatura | <0.1oC |
Rango de control de temperatura | 5 a 40oC. |
Especificaciones generales | |
La temperatura de funcionamiento | 0 a 50oC. |
La tensión de entrada | 5VCC |
El peso | 120g |
El tamaño | 100(L)x58(W)x32(H)mm3 |
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