Diodos Schottky de metal-semiconductor son dispositivos de metales preciosos (oro, plata, platino, aluminio, etc.) como el ánodo y el semiconductor tipo N-B como el cátodo. La barrera formada en la superficie de contacto de los dos tiene características de rectificación. Porque hay un gran número de electrones en semiconductores de tipo N, y sólo hay una cantidad muy pequeña de electrones libres de metales nobles, los electrones difuso de la alta concentración de B a la baja concentración de A. Obviamente, no hay agujeros en el metal, y no hay movimiento de difusión de los agujeros de A a B. como electrones continuar difundiendo de B a un electrón, la concentración en la superficie de B disminuye gradualmente, y la neutralidad eléctrica de la superficie es destruido, de modo que una barrera de potencial está formado, y la dirección del campo eléctrico es B→A. Pero bajo la acción de este campo eléctrico, los electrones en un también producirá un movimiento de deriva A→B, debilitando así el campo eléctrico formado por el movimiento de difusión. Cuando una carga de la región del espacio con un determinado ancho es establecido, el movimiento de deriva de los electrones causados por el campo eléctrico y la difusión de circulación de electrones causada por diferentes concentraciones alcanzar un equilibrio relativo, formando una barrera de Schottky.
Diodo Schottky diodo Schottky, conocido también como barrera de Schottky diodo (SBD), es un bajo consumo, ultra-alta velocidad dispositivo semiconductor. La característica más notable es que el invertir el tiempo de recuperación es muy corto (puede ser tan pequeñas como unos pocos nanosegundos), y la caída de tensión es sólo alrededor de 0,4V. Se utiliza principalmente como alta frecuencia, baja tensión, corriente de alta los diodos rectificadores, freewheeling Diodos, diodos de protección, y también útil como los diodos rectificadores y pequeños diodos detector de señal en los circuitos de microondas, como las comunicaciones. Es más común en la comunicación fuentes de alimentación, inversores, etc..
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Conducción muy pequeñas pérdidas
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Las pérdidas de conmutación insignificante
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Conmutación extremadamente rápido
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Baja caída de tensión de forward
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