Chip DRAM integrato K4b1g1646I-Bck0 BGA transistor chip di alta qualità Chip IC MOS

Model No.
K4B1G1646I-BCK0
Pacchetto di Trasporto
Roll Packing, Roll Packing
Marchio
HYNIX
Origine
China
Codice SA
8542399000
Capacità di Produzione
1000000
Prezzo di riferimento
$ 0.18 - 6.75
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Descrizione del Prodotto


Integrated Circuit DRAM Chip K4b1g1646I-Bck0 BGA High Quality Chip Transistor MOS IC Chip

Stato parte Obsoleto
Settore automobilistico No
PPAP No
Tipo DRAM SDRAM DDR3
Densità chip (bit) 1 G
Organizzazione 64 Mx16
Numero di banche interne 8
Numero di parole per banca 8 M.
Numero di bit/parola (bit) 16
Larghezza bus dati (bit) 16
Frequenza di clock massima (MHz) 1600
Larghezza bus indirizzo (bit) 16
Tipo di interfaccia SSTL_1.5
Tensione di alimentazione minima di esercizio (V) 1.425
Tensione di alimentazione massima (V) 1.575
Temperatura di esercizio minima (ºC) 0ºC
Temperatura di esercizio massima (ºC) 95ºC
Grado di temperatura fornitore Commerciale
Numero di linee i/o (bit) 16
Montaggio Montaggio superficiale
Larghezza pacchetto 7.5
Lunghezza pacchetto 13.3
PCB modificata 96
Pacchetto fornitore FBGA
Conteggio PIN 96

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Circuito integrato

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