Diodo MOS a chip transistor integrato componenti elettronici originali Bsz018ne2lsiatma1

Model No.
BSZ018NE2LSIATMA1
Pacchetto di Trasporto
Standard Package
Specifiche
0.001367 oz
Marchio
Infineon Technologies
Origine
Original
Codice SA
8542900000
Capacità di Produzione
100000PCS/Day
Prezzo di riferimento
$ 0.18 - 2.70
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Descrizione del Prodotto


Diodo MOS a chip transistor integrato componenti elettronici originali BSZ018NE2LSIATMA1
 
 
N. di parte BSZ018NE2LSIATMA1
Codice data Più recente
Produttore Tecnologie Infineon
Condizione Nuovo e originale
Luogo di origine Originale
Specifiche Standard
Imballaggio Vassoio, bobina, schiuma, tubo, scatola
Tempo di consegna 1-5 giorni lavorativi
Termine di pagamento TT/Paypal/Western Union/Escrow
Metodo di spedizione DHL/UPS/FEDEX/EMS/TNT
 
Attributi del prodotto
 
Categoria prodotto MOSFET Quantità confezione originale 520
Marchio Tecnologie Infineon Tipo di montaggio Foro passante
Polarità del transistor Canale N. VDS - tensione di breakdown drain-source 800 V.
Numero di canali 1 canale ID - corrente di scarico continua 8 A.
Temperatura di esercizio minima - 55 C. Temperatura di esercizio massima + 175 C
VGS - tensione gate-source - 20 V, + 20 V. VGS Th - tensione soglia gate-source 2 V.
QG - carica gate 49 NC RDS ON - resistenza drain-source 9.3 mOhm
PD - dissipazione di potenza 104 NW Modalità canale Miglioramento
Nome commerciale CoolMOS Serie S29GL256S
Imballaggio MouseReel Sottocategoria Memoria e archiviazione dei dati
Tempo di caduta 5.5 ns Tipo di prodotto MOSFET
Tempo tipico di ritardo di spegnimento 20 ns Tempo di ritardo all'accensione tipico 4 ns


Integrated IC Chip Transistor MOS Diode Original Electronic Components Bsz018ne2lsiatma1 Integrated IC Chip Transistor MOS Diode Original Electronic Components Bsz018ne2lsiatma1


Profilo aziendale

  
Team di vendita professionale
 
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Team prodotti professionali





Certificazioni

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Marchi cooperativi

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Imballaggio e spedizione

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FQA






 

 

 

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