N. di parte | IRF640NPBF |
Codice data | Più recente |
Produttore | Tecnologie Infineon |
Condizione | Nuovo e originale |
Luogo di origine | Originale |
Specifiche | Standard |
Imballaggio | Vassoio, bobina, schiuma, tubo, scatola |
Tempo di consegna | 1-5 giorni lavorativi |
Termine di pagamento | TT/Paypal/Western Union/Escrow |
Metodo di spedizione | DHL/UPS/FEDEX/EMS/TNT |
Categoria prodotto | MOSFET | Quantità confezione originale | 2000 |
Marchio | Tecnologie Infineon | Tipo di montaggio | Foro passante |
Polarità del transistor | Canale N. | VDS - tensione di breakdown drain-source | 200 V. |
Numero di canali | 1 canale | ID - corrente di scarico continua | 18 A. |
Temperatura di esercizio minima | - 55 C. | Temperatura di esercizio massima | + 175 C |
VGS - tensione gate-source | - 20 V, + 20 V. | VGS Th - tensione soglia gate-source | 1.8 V. |
QG - carica gate | 44.7 NC | RDS ON - resistenza drain-source | 150 m Ohm |
PD - dissipazione di potenza | 150 W | Modalità canale | Miglioramento |
Nome commerciale | CapSense | Serie | Canale N. |
Imballaggio | MouseReel | Sottocategoria | IC convertitore dati |
Tempo di caduta | 5.5 ns | Tipo di prodotto | NVRAM |
Tempo tipico di ritardo di spegnimento | 20 ns | Tempo di ritardo all'accensione tipico | 4 ns |