Transistor MOS a effetto di campo nuovo e originale a canale P (IPB90P04P4L)

Model No.
IPB90P04P4L
rds sulla resistenza di conduzione della sorgente di drain
6.6 Mohms
vgs - tensione della sorgente di rete
4,5v
id corrente di scarico continua
90 a.
tensione di breakdown della sorgente di drain vds
40 v.
temperatura di esercizio minima
-55 c.
temperatura di esercizio massima
+175c
carica rete qg
135 nc
tensione di soglia della sorgente del gate vgs
1,2 v.
anno di produzione
2023
paese dell′originale
cina
n. lotto
21+
incapsulamento
to-252
capacità di fornitura
1000000 pezzi/pezzi al mese
quantità minima di imballaggio
2500 pz
peso lordo minimo di imballaggio
0.62 Kg
Pacchetto di Trasporto
Carton Box
Specifiche
22x17
Marchio
EDT
Origine
Zhejiang
Codice SA
8529905000
Capacità di Produzione
1000000
Prezzo di riferimento
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Descrizione del Prodotto

Panoramica
Dettagli rapidi
Numero modello:        IPB90P04P4L

Tipo:                 circuito integrato

Luogo di origine:        Guangdong, Cina

Nome del marchio:          INFINEON

Applicazioni:          Applicazioni industriali
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura 1000000 pezzi/pezzi al mese

 
Imballaggio e consegna
Tempo di consegna:
Quantità (pezzi) 1   -   1000 >1000
Est. Tempo (giorni) 7 Da negoziare
New and Original P-Channel MOS Field-Effect Transistor (IPB90P04P4L)


New and Original P-Channel MOS Field-Effect Transistor (IPB90P04P4L)


New and Original P-Channel MOS Field-Effect Transistor (IPB90P04P4L)
New and Original P-Channel MOS Field-Effect Transistor (IPB90P04P4L)

 

Circuito integrato

PNEUTEC.IT, 2023