Transistor MOS a effetto di campo SMD 50p06 P-Channel-50A-60V to-252, componenti elettronici, circuito integrato

Il transistore MOS ad effetto di campo è un transistore ad effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore, abbreviato come MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect-transistor, cioè un transistore ad effetto di campo di un metallo-ossido-semiconduttore), che appartiene al tipo a gate isolata. Tra la gate metallica e il canale è presente uno strato isolante di biossido di silicio, quindi ha un'elevata resistenza di ingresso (fino a 1015Ω). È inoltre suddiviso in un tubo a canale N e in un tubo a canale P. Solitamente, il substrato (substrato) e la sorgente S sono collegati tra loro. Secondo il diverso modo di conduzione, il MOSFET è diviso in tipo di arricchimento e tipo di svuotamento. Il tipo cosiddetto migliorato si riferisce a: Quando VGS=0, il tubo è in uno stato spento; dopo aver aggiunto il VGS corretto, la maggior parte delle portanti sono attratte verso il gate, così "intensificando" le portanti in questa area e formando un canale conduttivo Tao. Il tipo a svuotamento significa che quando VGS=0, viene formato un canale, e quando viene aggiunto il VGS corretto, la maggior parte dei vettori può fuoriuscire dal canale, "esaurendo" i trasportatori e spegnendo il tubo.


Prendendo ad esempio il canale N, esso viene realizzato su un substrato di silicio di tipo P con due regioni di diffusione di source N+ e regioni di diffusione di drain N+ ad alta concentrazione di drogaggio, e quindi vengono rispettivamente condotti in uscita il source S ed il drain D. La sorgente e il substrato sono collegati internamente e i due mantengono sempre lo stesso potenziale. La direzione del potenziale è dall'esterno all'interno, il che significa dal materiale di tipo P (substrato) al canale di tipo N. Quando il drain è collegato al polo positivo dell'alimentazione e il source è collegato al polo negativo dell'alimentazione e VGS=0, la corrente di canale (cioè la corrente di drain) ID=0. Con il progressivo aumento di VGS, attratti dalla tensione positiva della gate, si inducono portatori minoritari negativamente caricati tra le due regioni di diffusione, formando un canale di tipo N dal drain al source. Quando VGS è maggiore del tubo quando si raggiunge la tensione di accensione VTN (solitamente circa +2V), il tubo a canale N inizia a condurre, formando una corrente di drain ID.

Il tubo MOS a effetto di campo è più "stridulo". Ciò perché la sua resistenza di ingresso è molto elevata, e la capacità tra gate e source è molto piccola, è molto facile da caricare dal campo elettromagnetico esterno o dall'induzione elettrostatica, E una piccola quantità di carica può formare una tensione molto alta sulla capacità tra gli elettrodi (U = Q/C), danneggiando il tubo. Pertanto, quando si lascia la fabbrica, i pin sono intrecciati insieme, o installati in un foglio metallico, in modo che il polo G e il polo S siano allo stesso potenziale per impedire l'accumulo di carica statica. Quando il tubo non è in uso, tutti i cavi devono essere in corto circuito. Prestare particolare attenzione durante la misurazione e adottare le misure antistatiche corrispondenti.
 

Schema dei pin  :

2.valori nominali massimi:

3.caratteristiche elettriche:

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