Bss308PE SOT-23 -30 V SMD de canal P modo mejora Field-Effect Transistor Chip

No. de Modelo.
BSS308PE
RDS (on) (@10V) Max
80 MΩ
Qg (Typ @10V)
-5 Nc
vds máx
-30 V
Rth
250 K/W
Idpuls Max
-8 a
paquete
Sot-23
ID (@25°c) Max
2a
Budgetary Price €/1K
0.07
Paquete de Transporte
Tray
Marca Comercial
INFINEON TECHNOLOGIES/IR
Origen
Shenzhen
Código del HS
8542399000
Capacidad de Producción
1000000
Precio de referencia
$ 0.32 - 45.90
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Descripción de Producto


Bss308PE Sot-23 -30 V SMD P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor Chip

Package-Case   A-236-3, SC-59, SOT-23-3
La tecnología    Si
Operating-Temperature    -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting-Type   Montaje en superficie
El número de canales.   El canal 1
Supplier-Device-Package   PG-SOT23-3
La configuración   Solo
Tipo FET    Un MOSFET de canal P, de Óxido Metálico.
Power-Max    500mW
Transistor-Type   1 P-Channel
- Tensión Drain-Source VDSS    30V
La capacitancia de entrada    500pF @ 15V
La característica de la FET    Puerta de nivel de lógica, la unidad de 4,5 V.
Current-Continuous-Drain-Id-25°C    2A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs   80 mOhm @ 2A, 10V
Vgs-th-Max-Id    1V @ 11μa
Gate-Charge-Qg-Vgs   5nC @ 10V
Disipación de Pd-Power    500 mW
Temperatura máxima de funcionamiento    + 150 C
Rango de temperatura de funcionamiento    - 55 C
Fall-Time    2.8 ns
Rise-Time    7.7 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage    +/- 20 V
Drenaje ID (actual)    - 2.
Vds-Drain-Source-Breakdown tensión.    - 30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage    - 1,5 V
La resistencia Drain-Source Rds-On    62 mOhms
Transistor-Polarity   P-Channel
Tiempo de retardo de desconexión de Typical-Turn   15.3 ns
Tiempo de retardo Turn-On    5.6 ns
Qg-Gate encargado    - 5 nC
Transconductancia    4.6 S

Bss308PE Sot-23 -30 V SMD P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor Chip
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