Hcd70R600 A-252 integrado en el paquete de diodo ESD Semihow Super Junction transistor

No. de Modelo.
HCD70R600
Estructura
planar
Estructura de encapsulación
chip de transistor
Nivel de potencia
Alto Voltaje
Material
Silicio
application3
corrección de factor de potencia (pfc)
application1
fuente de alimentación conmutada (smps)
features3
100% avalancha probada
application5
convertidores de ca a cc
application6
telecomunicaciones
application4
potencia de tv y potencia de iluminación led
features2
excelente estabilidad y uniformidad
features1
pérdida de conmutación extremadamente baja
Paquete de Transporte
Plastic Package
Especificación
Mosfet
Marca Comercial
HY
Origen
Guangdong, China
Capacidad de Producción
10000 Pieces/Day
Precio de referencia
$ 0.88 - 0.90
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Descripción de Producto

 
Hcd70R600 A-252 integrado en el paquete de diodo ESD Semihow Super Junction transistor

El tipo de paquete: Transistor-252
Alta frecuencia/Planar /extremadamente baja pérdida de conmutación/excelente estabilidad y uniformidad

Hcd70r600 to-252 Package Built-in ESD Diode Semihow Super Junction Mosfet Hcd70r600 to-252 Package Built-in ESD Diode Semihow Super Junction Mosfet
Hcd70r600 to-252 Package Built-in ESD Diode Semihow Super Junction Mosfet
Hcd70r600 to-252 Package Built-in ESD Diode Semihow Super Junction Mosfet

 

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