MMBFJ177LT1G : canal P JFET 30 V 225 mW, montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
MFR. Référence : MBFJ177LT1G
MFR. : ONSEMI
Fiche technique :
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État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
État du produit
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Actif
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Type FET
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Canal P.
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Tension - rupture (V(BR)GSS)
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30 V.
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Courant - drain (IDSS) @ VDS (Vgs=0)
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1.5 mA à 15 V.
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Tension - coupure (VGS désactivé) @ ID
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800 mV à 10 Na
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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11 pF @ 10 V (VGS)
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Résistance - RDS(on)
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300 ohms
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Puissance - max
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225 mW
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Emballage/caisse
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Package de périphérique fournisseur
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SOT-23-3 (TO-236)
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Numéro de produit de base
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MBFJ177
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Caractéristiques • préfixe S pour applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle ; certifié AEC−Q101 et compatible PPAP • ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
Remarque :