Pilote de Moter PFC Boost AEC-Q101 Qualificaeaec-Q101 Osg65r099hszaf TO247 VDS 650V MOSFET à diode à récupération rapide RDS99mΩ

N° de Modèle.
OSG65R099HSZAF TO247
Paquet de Transport
Carton
Spécifications
35x30x37cm
Marque Déposée
Orientalsemiconductor
Origine
China
Code SH
854129000
Capacité de Production
20kkkk/Monthly
Prix de référence
$ 1.62 - 1.80
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Description de Produit

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série Z de GreenMOS® est intégrée à une diode de récupération rapide (FRD) pour minimiser le temps de récupération inverse. Il convient aux topologies de commutation résonantes pour atteindre une efficacité supérieure, une fiabilité supérieure et un format plus petit.

Fonctionnalités                                                                                                    
  • RDS (on) et FOM faibles
  • Perte de commutation extrêmement faible
  • Excellente stabilité et uniformité
  • Diode corps ultra-rapide et robuste
  • Certifié AEC-Q101 pour les applications automobiles

Applications
  • Alimentation PC
  • Puissance de télécommunication
  • Alimentation du serveur
  • Chargeur EV
  • Pilote de moteur

Paramètres de performance clés

 
Paramètre Valeur Unité
VDS 650 V
ID , impulsion 96 A
RDS (ON), MAX . À VGS =10 V. 99 MΩ
QG 66.6 NF

Informations de marquage

 
Nom du produit Package Marquage
OSG65R099HSZAF TO247 OSG65R099HSZA


Le test HTRB a été effectué à 600 V plus strictement que le test AEC-Q101 rev.C (80 % V (BR)DSS ). Tous les autres tests ont été effectués conformément à la norme AEC Q101 rév. E.
 
Valeurs nominales maximales absolues à TJ =25 °C sauf indication contraire
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Tension de la source de vidange VDS 650 V
Tension de la source de grille VGS ±30 V
Courant de drain continué1 ) , TC =25 °C.
ID 		32
A
Courant de drain continué1 ) , TC =100 °C. 20
Courant de drain pulsé 2 ) , TC =25 °C. ID , impulsion 96 A
Diode continue en forward current1 ) , TC =25 °C. EST 32 A
Diode pulse2 ) , TC =25 °C. EST , impulsion 96 A
Alimentation   3 )   , TC =25   °C. PD 278 W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5 ) EAS 648 MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS =0…480 V. dv/dt 50 V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS =0…480 V, ISD ≤ID dv/dt 50 V/ns
Température de fonctionnement et de stockage Tstg , TJ -55 à 150 °C

Caractéristiques thermiques
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction RθJC 0.45 °C/W
Résistance thermique, ambient4 ) RθJA 62 °C/W

Caractéristiques électriques à TJ =25°C sauf indication contraire
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange BVDSS 650     V VGS =0 V, ID =1 MA
Tension seuil de grille VGS (TH) 3.0   4.5 V VDS =VGS , ID =1 MA

Résistance à l'état on de la source de vidange
RDS (ON) 		  0.090 0.099
Ω 		VGS =10 V, ID =16 A
  0.21   VGS =10 V, ID =16 A, TJ =150 °C.
Courant de fuite de la source de grille
IGS 		    100
N/a 		VGS = 30 V.
    -100 VGS =-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange IDS     10 ΜA VDS =650 V, VGS =0 V.
Résistance de la grille RG   7.8   Ω ƒ=1 MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée CISS   3988   PF
VGS =0 V, VDS =50 V,
ƒ = 100 kHz
Capacité de sortie COSS   210   PF
Capacité de transfert inverse FCR   7.4   PF
Capacité de sortie effective, liée à l'énergie Co (er)   124   PF
VGS =0 V, VDS =0 V-400 V.
Capacité de sortie effective, liée au temps Co (tr)   585   PF
Délai d'activation td (on)   46.0   ns
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 Ω, ID =20 A.
Temps de montée tr   60.3   ns
Délai de mise hors tension td (désactivé)   93.0   ns
Temps de chute par   3.7   ns

Caractéristiques de charge de grille
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Charge totale de grille QG   66.6   NF

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =20 A.
Charge de la source d'entrée QGS   20.6   NF
Grille de charge de vidange QGD   24.8   NF
Tension de plateau de grille Plateau Vplateau   6.7   V

Caractéristiques de la diode corps
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Tension avant de diode VSD     1.3 V EST = 32 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse trr   151.7   ns
EST =20 A,
Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée Qrr   1.0   ΜC
Courant de récupération inverse de crête Irrm   12.3   A

Remarque
  1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
  2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
  3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
  4. VDD =100 V, VGS =10 V, L=80 mH, TJ de départ =25 °C.
 

 


 
 





 

 

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