N-type de cellules TOPCon sont fondées sur une N-galette de silicium cristallin dopé.
Les cellules photovoltaïques diffèrent dans leur structure dans la couche chargée positivement les cellules de type P et chargées négativement les cellules de type N. Avec les cellules de type P, la couche de base est dopé avec du bore, qui a un électron à moins que le silicium. Cela crée un trou d'électrons et les porteurs de charge positive prédominent. Dans les cellules de type N, la couche de base est dopé au phosphore. Cela a un électron de plus de silicium. Ce dopage génère des électrons libres.
La plus grande efficacité des cellules de type n'est causé par ces électrons libres. Ils sont également responsables de l'extrêmement faibles pertes de puissance et de prévenir les phénomènes tels que les PID et le couvercle.
N TOPCON BIFACIAUX SÉRIE
400W 405W 415W 420W 430W 440W 450W 460W 470W 500W 520W 550W 560W 600W 650W 685W
N TOPCON PLEIN
BIFACIAUX
série noire
415W 420W 430W 435W 560W 570W 580W 600W 650W 660W 670W 685W
Modèle de panneau solaire | Le GSM415M10-108HBD | Le GSM420M10-108HBD | Le GSM425M10-108HBD | Le GSM430M10-108HBD | Le GSM435M10-108HBD |
Puissance de crête Watts-Pmax(wp)* | 415W | 420W | 425W | 430W | 435W |
Puissance maximale Voltage-Vmpp(V) | 31.32 | 31.51 | 31.70 | 31.88 | 32.07 |
Puissance maximale Current-Impp(A) | 13.25 | 13.33 | 13.41 | 13.49 | 13.57 |
Circuit ouvert Voltage-Voc(V) | 37.92 | 38.11 | 38.30 | 38.49 | 38.68 |
Court-circuit Current-Isc(A) | 13.99 | 14.07 | 14.15 | 14.23 | 14.31 |
L'efficacité du module (%) | 21.25 | 21.51 | 21.76 | 22.02 | 22.27 |
La puissance de sortie Tolerance-Pmax(W) | 0~+5 | ||||
Coefficient de température de Pmax | -0,3% / ºC | ||||
Coefficient de température de COV | -0.25% / ºC | ||||
Coefficient de température de l'Isc | 0,040% / ºC | ||||
STC | L'irradiance 1000W/m2, température de la cellule, AM1.5 25 Masse d'air |
Dimensions du module de 1722*1134*30mm
Module par la case 37 pièces
Module par conteneur de 40' 962 morceaux
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