| Atributos del producto | El valor del atributo |
| Fabricante: | Infineon |
| Categoría del producto: | Módulos IGBT |
| Producto: | Los módulos de silicio de IGBT |
| Configuración: | 6-Pack |
| La tensión colector - Emisor VCEO Max: | 750 V |
| Tensión de saturación del Collector-Emitter: | 1,1 V |
| Corriente de colector de continuo a 25 C: | 450 UN |
| Gate-Emitter: Corriente de fuga. | 400 nA |
| Pd: disipación de energía: | 714 W |
| Package / Caso: | El módulo |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 40 C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C |
| Embalaje: | La bandeja |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Puerta de máxima tensión de emisor: | 20 V |
| Estilo de montaje: | Montaje en chasis |
| Tipo de producto: | Módulos IGBT |
| Subcategoría: | IGBTs |
| Tecnología: | Si |