Specifiche
Tipo di silicio
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dimensioni
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Schema elettrodo anteriore
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Monocristallino
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182*182±0.5Φ247mm
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dieci barre di distribuzione
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intervallo: 17,3 mm
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Elementi del parametro
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Specifiche
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Tolleranza
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Unità
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Superficie anteriore
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R
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Quantità di dita
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140
|
-
|
-
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B
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Larghezza barra collettrice anteriore
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1
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±0.1
|
mm
|
|
C
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Distanza tra le barre di distribuzione
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17.3
|
±0.15
|
mm
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Superficie rara
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r
|
Larghezza barra collettrice posteriore
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1.6
|
±0.3
|
mm
|
|
b
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Distanza tra le barre di distribuzione posteriori
|
17.3
|
±0.15
|
mm
|
|
c
|
Quantità di dita posteriori
|
160
|
-
|
-
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EFF (%)
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Efficienza(%)
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Pmpp(W)
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IMPP(A)
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Umpp(V)
|
ISC(A)
|
UOC(V)
|
22.6
|
22.6-22.7
|
7.46
|
12.604
|
0.592
|
13.226
|
0.688
|
22.5
|
22.5-22.6
|
7.43
|
12.57
|
0.591
|
13.187
|
0.687
|
22.4
|
22.4-22.5
|
7.4
|
12.535
|
0.59
|
13.147
|
|
22.3
|
22.3-22.4
|
7.36
|
12.5
|
0.589
|
13.108
|
0.685
|
22.2
|
22.2-22.3
|
7.33
|
12.465
|
0.588
|
13.068
|
0.684
|
22.1
|
22.1-22.2
|
7.3
|
12.43
|
0.587
|
13.028
|
0.683
|
22
|
22.0-22.1
|
7.26
|
12.395
|
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12.988
|
0.682
|
21
|
21.9-22.0
|
7.23
|
12.36
|
0.585
|
12.948
|
0.681
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Proprietà elettriche
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VOC: -0,3 %/ºC
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Intensità: 1000 W/m²
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ISC: +0,06 %/ºC
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Spettro:AM1.5G
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Linea di produzione di celle solari
Pulizia
e
testurizzazione
: I wafer vengono puliti con saponi industriali e formano piramidi a base quadrata, anche chiamate texture. La testurizzazione aiuta a ridurre il riflesso della luce solare.
Diffusione
: Ai wafer che sono stati pre-droped con boro durante il processo di colata viene quindi data una caratteristica superficiale negativa (di tipo n) diffondendoli con una sorgente di fosforo ad alta temperatura, che a sua volta crea la giunzione negativa/positiva(n-p).
Attacco:
Il fosforo si diffonde non solo nella superficie desiderata del wafer, ma anche nella parte laterale e nella superficie opposta per formare PN. Ciò fornisce un percorso di shunt tra la parte anteriore e posteriore della cella. La rimozione del percorso intorno all'isolamento della giunzione bordo/bordo wafer è denominata attacco.
PECVD
: Mediante apparecchiatura PECVD, le fette sono rivestite con rivestimento antiriflesso (ARC). È la pellicola di nitruro di silicione blu per ridurre la riflessione e promuovere l'assorbimento della luce.
Stampa & riscaldamento
: È stato adottato con la pasta da stampa con tecnologia serigrafica per stampare gli elettrodi di silicio solare, e formare un buon contatto ohmico.
Test & Sorting
: Significa classificare le cellule in base alla loro efficienza testata sotto la luce solare simulata.