Cina tecnologia MCM di alta qualità memoria flash NAND

 

Descrizione PIN:

Ciclo di indirizzamento:

LDMF1GA: Note: 1. CAX = indirizzo di colonna, pax = indirizzo di pagina, Bax = indirizzo di blocco, l'indirizzo di pagina, indirizzo di blocco chiamato indirizzo di riga. Indirizzo byte della pagina denominato indirizzo di colonna
Dimensioni pagina x8: 8640 byte (2048 + 64 byte)
Dimensione blocco: 128 pagine (1024K + 8K byte)
Numero blocco: 4096 blocchi

LDMF4GA: Note: 1. CAX = indirizzo di colonna, pax = indirizzo di pagina, Bax = indirizzo di blocco, l'indirizzo di pagina, indirizzo di blocco chiamato indirizzo di riga. Indirizzo byte della pagina denominato indirizzo di colonna
Dimensioni pagina x8: 8640 byte (8192 + 448 byte)
Dimensioni del blocco: 128 pagine (1024 K + 56 K byte)
Numero blocco: 4096 blocchi

Elenco istruzioni:
Gestione dei blocchi non valida
Tutte le posizioni del dispositivo vengono cancellate (0xFF), ad eccezione della posizione dell'indirizzo in un blocco non valido, quando viene spedito dalla fabbrica. Il flag di blocco non valido si trova sul primo byte dell'area di riserva nell'ultima pagina del blocco. I dati del blocco non validi non sono 0xFF. Il sistema deve stabilire una gestione dei blocchi non valida per evitare di utilizzare un blocco non valido. L'indirizzo iniziale del primo blocco è 0000h, che è garantito per essere spedito dalla fabbrica.
La tabella dei blocchi errati viene creata dal seguente diagramma di flusso (di seguito).

Fasi operative:
1. Si è verificato un errore sulla pagina n del blocco A durante l'operazione di cancellazione o programmazione. Copiare i dati dalla prima pagina alla (n-1)-esima pagina del blocco A nella stessa posizione nell'altro blocco B.copiare i dati del buffer da salvare sulla n-esima pagina Posizione del blocco B.aggiungere il blocco A alla tabella Bad Block.

1. Ciclo di chiusura comando
2. Sequenza del ciclo di blocco degli indirizzi
3. I dati di ingresso latch sequenza di ciclo
4. Sequenza di cicli di latch dei dati di output
5. Istruzioni di sistema

Operazione di lettura:
L'operazione di lettura è implementata scrivendo un comando 00h-30h nel registro dei comandi. Prima, scrivere il comando 00h, poi scrivere l'indirizzo con 5 cicli, ultimo, scrivere il comando 30h. Al termine, viene rilasciato il R/B(-), l'utente determina il completamento della trasmissione interna dei dati rilevando lo stato di R/B(-). Una volta completata la trasmissione, l'utente può avviare RE, i dati letti continuamente.
La sequenza di funzionamento di lettura è la seguente.

Operazione di programmazione:
Prima di procedere alla programmazione, l'utente deve cancellare il blocco. L'operazione di programmazione è implementata scrivendo un comando 80h-10h nel registro dei comandi. Scrivere prima il comando 80h, quindi scrivere l'indirizzo con 5 cicli, e quindi caricare i dati nel registro buffer di dati interno, infine, scrivere 10h dopo il completamento del comando per confermare Write. Al termine della programmazione, il R/B(-) viene rilasciato.
Programmazione della sequenza di funzionamento

Operazione di cancellazione:
Il comando di cancellazione è 60h-D0h. Scrivere prima il comando 60h , quindi scrivere l'indirizzo con 3 cicli , quindi scrivere il comando D0h per confermare la cancellazione. Al termine della cancellazione, R/B(-) viene rilasciato.

Cancellazione sequenza di operazioni

Ripristino operazioneRiimpostare la sequenza di funzionamento

Nota: Se i dati di scrittura sulla pagina prima dell'operazione di completamento dell'input del comando di ripristino, possono causare il danneggiamento dei dati, il danno non è solo la programmazione della pagina, può anche influenzare le pagine adiacenti.

Istruzioni sequenziali(-45ºC~175ºC):con l'aumentare della temperatura, la velocità di risposta del dispositivo dopo l'operazione può rallentare.sequenza di esecuzione del programma utente una certa quantità di tolleranza, suggerisce di aumentare la stabilità ad alta temperatura.

Elenco parametri di temporizzazione(25ºC):

ZITN è un'azienda nazionale high-tech, fondata nel 2002 da molti ingegneri high tech che hanno una vasta esperienza nell' industria microelettronica. Con 19 anni di sviluppo, ZITN è diventato un leader riconosciuto del settore in Cina e abbiamo un totale di 175 dipendenti, oltre il 49% di loro proviene . Progettiamo, sviluppiamo e produciamo principalmente inclinometri ad alta precisione, accelerometri al quarzo, sistemi di unità di misura inerziali, prodotti IF Circuit e memoria flash NAND ampiamente utilizzati per l'aerospazio, la perforazione di petrolio e gas, i campi di esplorazione geologica.

 

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Che tipo di test verrà eseguito prima di lasciare la fabbrica?
Disponiamo di un rigoroso sistema di controllo qualità per garantire le prestazioni del prodotto, come il sistema di calibrazione della piattaforma girevole non magnetica, il sistema di test di shock e vibrazioni, il sistema di test del ciclo di temperatura ecc...

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