Le celle Topcon di tipo N sono basate su un wafer di silicio cristallino drogato N.
Le celle fotovoltaiche differiscono nella loro struttura a strati in celle di tipo P caricate positivamente e celle di tipo N caricate negativamente. Con celle di tipo P, lo strato di base è drogato con boro, che ha un elettrone in meno rispetto al silicio. Ciò crea un foro per elettroni e predominano i portatori di carica positivi. Nelle celle di tipo N, lo strato di base è drogato con fosforo. Questo ha un elettrone più del silicio. Questo drogaggio genera elettroni liberi.
La maggiore efficienza delle celle di tipo N è causata da questi elettroni liberi. Sono inoltre responsabili delle perdite di potenza estremamente basse e prevengono fenomeni come PID e LID.
Modello di pannello solare | GSM570M10-144HC | GSM575M10-144HC | GSM580M10-144HC | GSM585M10-144HC | GSM590M10-144HC |
Potenza di picco Watt-Pmax(WP)* | 570 W | 575 W. | 580 W. | 585 W. | 590 W. |
Tensione di potenza massima-Vmpp(V) | 42.07 | 42.22 | 42.37 | 42.52 | 42.67 |
Potenza massima corrente-impulso(A) | 13.55 | 13.62 | 13.69 | 13.76 | 13.83 |
Tensione circuito aperto-VOC(V) | 50.74 | 50.88 | 51.02 | 51.16 | 51.30 |
Corrente di cortocircuito-ISC(A) | 14.31 | 14.39 | 14.47 | 14.55 | 14.63 |
Efficienza del modulo (%) | 22.06 | 22.25 | 22.44 | 22.64 | 22.84 |
Tolleranza potenza di uscita-Pmax(W) | 0~+5 | ||||
Coefficiente di temperatura di Pmax | -0.3%/ºC | ||||
Coefficiente di temperatura del VOC | -0.25%/ºC | ||||
Coefficiente di temperatura dell'ISC | 0.046%/ºC | ||||
STC | Irradiazione 1000 W/m2, temperatura cella 25, massa d'aria AM1.5 |
2279*1134*35mm / 29,4KG
31 pezzi / pallet, 620 pezzi / 40HC
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