diodo di commutazione a diodo 1n4148 con diodo a commutazione rapida 75 V 150 ma Diodo do-35 1n4148

Model No.
1N4148
Materiale
Silicio
Pacchetto di Trasporto
by Sea, Packaging
Specifiche
Do-35
Marchio
ZG Brand
Origine
Auhui Province, China
Codice SA
8541100000
Capacità di Produzione
50000000000000000000000000
Prezzo di riferimento
Vi preghiamo di contattarci per un preventivo

Descrizione del Prodotto

Descrizione del prodotto

1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148 1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148

Foto dettagliate

1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148 1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148 1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148 1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148 1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148 1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148 1n4148 Diode Switching Diode with Fast Switching Diode 75V 150mA Do-35 Diode 1n4148

  Simboli FR101 FR102 FR10 3 FR104 FR105 FR106 FR107 Unità
Tensione inversa massima di picco ripetitiva VRMM 50 100 200 400 600 800 1000 Volt
Tensione RMS massima VRMS 35 70 140 280 420 560 700 Volt
Tensione di blocco c.c. massima V CC 50 100 200 400 600 800 1000 Volt
Corrente media massima raddrizzata in avanti @TA=75 ºC I (AV) 1.0 Amp
Picco di corrente di picco diretta
8.3ms a onda singola a mezza sinusoidale Super imposto sul carico nominale (metodo JEDEC)

IFSM

30.0

Amp
Tensione diretta massima a 1,0 a CC VF 1.3 Volt
Corrente inversa c.c. massima TJ =25ºC a tensione di blocco c.c. nominale TJ =100ºC IR 5.0
100
μA
Tempo massimo di recupero inverso (Nota 1) TRR 150.0 250.0 500.0 n/s
Capacità di giunzione tipica (Nota 2) CJ 25.0 15.0 PF
Resistenza termica tipica (Nota 3) RθJA 25.0 ºC/W
Gamma di temperatura di esercizio TJ da -55 a +125 ºC
Temperatura di stoccaggio TSTG da -55 a +150 ºC
Certificazioni

 



Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd     . È stata fondata nel 2010 e copre un'area di 20000 metri quadrati, che si trova nella   provincia di Anhui , vicino a Shanghai. La nostra azienda  è focalizzata sullo sviluppo e la produzione di diodi , diodi raddrizzatori, mosfet,  diodi schottky , diodi a recupero rapido ,   raddrizzatore a ponte ,  wafer di silicio , ecc. la nostra missione è essere il fornitore di semiconduttori più prezioso accanto a voi. Benvenuti a contattarci per i futuri rapporti commerciali e il successo reciproco.

 

 

Raddrizzatore Diodo

PNEUTEC.IT, 2023