1EBN1001AE Drivers IGBT de hayon

N° de Modèle.
1EBN1001AE
package
SOIC-14
qualité
original neuf
D/C
17+
fabricant
INFINEON
Paquet de Transport
Box
Origine
China
Code SH
8542390000
Capacité de Production
1000000PCS
Prix de référence
$ 13.50 - 64.80

Description de Produit

Description

1EBN1001AE : MOSFET DRVR 15A 1-Out Hi côTéInv/Non-Inv DSO à14 broches T/R

Progiciel :SOIC-14

Mfr.La partie N°:1EBN1001AE

Mfr.:Infineon
Fiche technique : 
1EBN1001AE IGBT MOSFET Gate Driver Booster
(E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

RoHS ÉTat : 
1EBN1001AE IGBT MOSFET Gate Driver Booster

Qualité:100% d'origine

Garantie :180 jours
 

EiceDRIVER™Boost - un seul canal isoléBooster pour les applications automobiles

FonctionnalitéS cléS

  • MOSFET àCanal unique pilote porte IGBT/Booster.
  • AdaptéPour les classes de l'IGBT jusqu'à650V/800A et 1200V/400A.
  • Courant de crêTe jusqu'àIPK = +/- 15A (pour 1.5μS).
  • Courant continu jusqu'àICONT= 2 x 0,75 bras à10 kHz (CLOAD=300nF).
  • Faible DéLai de propagation et un minimum de distorsion PWM.
  • SéParer l'activation et la déSactivation des signaux pathes.
  • Prise en charge de serrage active avec le temps de réAction trèS rapide.
  • DéSactiver et de serrage active les signaux d'entréE ASC.
  • Support pour déSactiver le préJugéNéGatif.
  • Un support optimal des fonctions EiceSIL.
  • À14 broches PG-ASM-14 coussin exposéVert paquet.
  • Plage de tempéRature ambiante de fonctionnement de -40 °C à125°C.
  • L'automobile qualifié(comme par AEC Q100).
  • IdéAle pour les systèMes d exigences jusqu'àASIL (selon la norme CEI 61508 et ISO 26262).

Ligne de produits de la sociéTé



1EBN1001AE IGBT MOSFET Gate Driver Booster








 


1EBN1001AE IGBT MOSFET Gate Driver Booster


1EBN1001AE IGBT MOSFET Gate Driver Booster

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Les certificats

1EBN1001AE IGBT MOSFET Gate Driver Booster


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