InGaAs Mini PD è un fotodiodo di piccole dimensioni realizzato in materiale InGaAs che offre elevata rispondività nella regione NIR dello spettro. Questi fotodiodi sono altamente sensibili alla luce nella gamma di lunghezze d'onda da circa 900 a 1650 nanometri (nm). Sono ampiamente utilizzati in sistemi di comunicazione a fibra ottica, strumenti ottici e altre applicazioni in cui è richiesta un'elevata sensibilità nella regione NIR dello spettro.
Caratteristiche
Elevata linearità, 70 um di diametro superiore
Funzionamento a lunghezza d'onda lunga
Bassa corrente di buio
Alta rispondività
Eccellente affidabilità
Applicazioni
Monitoraggio dell'alimentazione
Misurazione ottica
SISTEMA CATV AM
Ricevitore ottico di rilevamento
Valori massimi assoluti | |
Temperatura di conservazione | -40~+85ºC |
Tensione inversa PD | 20 V. |
Alimentazione ottica in ingresso | 6 MW |
Corrente diretta | 10 ma |
Corrente inversa | 10 uA |
Temperatura di saldatura | 260/10ºC/s |
Condizioni operative consigliate | |
Temperatura di esercizio | -40~+85ºC |
Tensione inversa PD | 5 V. |
Opto - caratteristiche elettriche | |
Lunghezza d'onda ottica | 900~1650 nm |
Responsività | 0,95 A/W |
Corrente di buio | 0.1na |
Capacità | 0,45 pF |
Frequenza di taglio di -3dB | 2,0 GHz |
Distorsione intermodulazione di secondo ordine | -65 dBc |
Distorsione intermodulazione di terzo ordine | -70 dBc |
Diametro superiore | 70 um |
Consegna e imballaggio