Módulo IGBT Dga75h170M2T

N ° de Modelo.
DGA75H170M2T
Número de lote
2023
Marca
Wxdh
Pacote de Transporte
34mm
Marca Registrada
WXDH
Origem
Wuxi, China
Código HS
8541290000
Preço de referência
$ 19.44 - 21.60
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Descrição de Produto

IGBT Module Dga75h170m2t IGBT Module Dga75h170m2t IGBT Module Dga75h170m2t IGBT Module Dga75h170m2t
 
1 Descrição
Estes Insulated Gate Bipolar Transistor utilizadas canaletas avançadas e
A tecnologia Fieldstop, desde design excelente VCEsat e comutação
Velocidade baixa carga. porta , O que está em sintonia com a norma RoHS.
Dispõe de
FS trincheira Tecnologia, temperatura positiva
Coeficiente
Baixa tensão de saturação: VCE(sat), típ = 2,25 V
@ IC =75A e tj = 25 °C
Extremamente reforçada a capacidade de avalanche
Os pedidos
A soldagem
UPS
Três leve o inversor
Conversores de CA para CC
AC e DC acionador do servo amplifier
 
Digite VCE IC VCEsat,Tj=25ºC Tjop Package
Cgd75C170M2T 1700V 75A (TJ=100ºC) 2,25V (típ) 175ºC 34MM
Características eléctricas
As classificações máximas 5.1Absolute (IGBT) (Tc=25ºC, salvo especificação em contrário)
O PARÂMETRO Símbolo Valor Unidade
     
Collector para tensão de Emissor VCE 1700 V
Porta a tensão do emissor VGE ±20 V
Corrente do coletor de entrada DC Ic   Tj=25ºC 150 Um
Tj=100ºC 75 Um
Corrente de colector pulsada #1 O ICM 300 Um
 

5.2 Classificações Máxima Absoluta (díodo) (Tc=25ºC, salvo especificação em contrário)
O PARÂMETRO Símbolo Valor Unidade
     
Tensão inversa repetitiva de pico VRRM 1700 V
Tensão de bloqueio de DC VR 1700 V
Média de mosto de corrente de avanço Se(AV) 75 Um
Corrente de surto de Pico repetitivo IFRM 150 Um
Corrente de surto de Pico Nonrepetitive(única) /Tp=1.0MS IFSM 300 Um

Módulo IGBT 5.53
O PARÂMETRO Símbolo Valor Unidade
     
Faixa de temperatura de junção Tjmax -45~175 ºC
A temperatura da junção operacional Tjop -45~150 ºC
Faixa de temperatura de armazenamento Tstg -45~150 ºC
Tensão de isolamento RMS,f=50Hz,t = 1 min VISO 4000 Um

Características 5.4Thermal.O módulo IGBT)
O PARÂMETRO Símbolo Valor Unidade
 
Resistência térmica para a caixa de junção  RthJC IGBT 0,22 ºC/W
O diodo RthJC 0,42 ºC/W



 

 

Semicondutor

PNEUTEC.IT, 2023