MOSFET N-CH 20V 4.2A HEXFET SOT-23 IRLM2502TRPBF

N ° de Modelo.
IRLML2502TRPBF
pacote
SOT-23
qualidade
original novo genuíno
D/C
Mais de 20
MFG.
INFINEON
Pacote de Transporte
Box
Origem
China
Código HS
8542390000
Capacidade de Produção
1000000PCS
Preço de referência
$ 0.14 - 5.40
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Descrição de Produto

Descrição

IRLM2502TRPBF:   Transm MOSFET N-CH 20V 4.2A Micro T/R-Tape e bobina de 3 pinos

Pacote: SOT-23

MFR. Part #: IRLM2502TRPBF

MFR.: INFINEON

Folha de dados:   IRLML2502TRPBF MOSFET N-Ch 20V 4.2A HEXFET SOT-23 (Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)

Estado RoHS:   IRLML2502TRPBF MOSFET N-Ch 20V 4.2A HEXFET SOT-23

Qualidade: 100% original

Garantia: UM ANO


 

RoHS UE Em conformidade  
ECCN (EUA) EAR99
Estado artigo Activo
HTS 8541.29.00.95
Automóvel Não
PPAP Não
Categoria do produto MOSFET de potência
Material Si
Configuração Único
Tecnologia de processo HEXFET
Modo de canal Melhoria
Tipo de canal N
Número de elementos por chip 1
Tensão máxima da fonte de drenagem (V) 20
Tensão máxima da fonte da porta (V) ± 12
Tensão máxima do limiar da porta (V) 1.2
Temperatura de junção de funcionamento ( ° C) -55 a 150
Corrente de purga contínua máxima (A) 4.2
Corrente máxima de fuga da fonte da porta (na) 100
IDSS (UA) máximo 1
Resistência máxima da fonte de purga (mOhm) 45@4.5V
Carga típica da porta @ VGS (NC) 8 @ 5 V.
Porta típica para carga de drenagem (NC) 1.7
Carregamento típico de porta para fonte (NC) 1.8
Carga de recuperação inversa típica (NC) 8.6
Capacidade de entrada típica @ VDS (PF) 740 @ 15 V.
Capacidade de transferência inversa típica @ VDS (PF) 66 @ 15 V.
Tensão mínima do limiar da porta (V) 0.6
Capacidade de saída típica (PF) 90
Dissipação máxima de potência (mW) 1250
Tempo típico de queda (ns) 26
Tempo de subida típico (ns) 10
Tempo de atraso típico de desactivação (ns) 54
Tempo de atraso típico de activação (ns) 7.5
Temperatura mínima de funcionamento ( ° C) -55
Temperatura máxima de funcionamento ( ° C) 150
Embalagem Fita e bobina
Corrente de drenagem pulsada máxima @ TC 25 ° C (A) 33
Resistência térmica ambiente de junção máxima na PCB ( ° C/W) 100
Tensão típica do planalto da porta (V) 2.1
Tempo de recuperação de marcha-atrás típico (ns) 16
Tensão máxima de avanço do diodo (V) 1.2
Tensão máxima da fonte positiva da porta (V) 12
Contagem de pinos 3
Nome pacote padrão SOT
Pacote Fornecedor SOT-23
Montagem Montagem saliente
Altura da embalagem 1.02 (máx.)
Comprimento da embalagem 3.04 (máx.)
Largura da embalagem 1.4 (máx.)
PCB alterado 3
Forma do chumbo Asa de gaivota


IRLML2502TRPBF MOSFET N-Ch 20V 4.2A HEXFET SOT-23






 


IRLML2502TRPBF MOSFET N-Ch 20V 4.2A HEXFET SOT-23


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