Chip IC Original Novo transístor Ipd Mosfet30N06 - 55V-60V N-Channel Aut Ipd30N06s2L-23
N ° de Modelo.
IPD30N06S2L-23
Pacote de Transporte
Standard Package
Especificação
0.011640 oz
Marca Registrada
Infineon Technologies
Origem
Original
Código HS
8542900000
Capacidade de Produção
100000PCS/Day
Preço de referência
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Descrição
Descrição de Produto
Chip IC Original Novo transístor IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT IPD30N06S2L-23
| Número de modelo | Dip30N06S2L-23 |
| Brand | A Infineon Technologies |
| Categoria do produto | Tecnologia MOSFET |
| D/C | Mais Recentes |
| Origem | Original |
| Estado | Novo e Original |
| Descrição | Microcontroladores |
| Especificação | Standard |
| Acondicionamento | Bandeja, Molinete, Caixa de espuma, |
| tempo de espera | 1 a 5 dias úteis |
| Prazo de pagamento | TT/Paypal/Western Union/Depósito |
| Método de envio | A DHL\UPS\Fedex\EMS\TNT |
Atributos do produto
| Categoria do produto | Tecnologia MOSFET | Tempo de Atraso Turn-On típico | 7 ns |
| Package / Case | Para-252-3 | Estilo de montagem | A SMT/SMD |
| Technology | Si | Polaridade do transístor | N-Channel |
| Número de canais | Canal 1 | - Tensão de ruptura Drain-Source Vds | 55 V |
| Id - corrente de dreno contínuo | 30 Um | - Resistência Drain-Source rds | 15.9 mOhms |
| Vgs - Tensão Gate-Source | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Tensão de limiar Gate-Source | 1,2 V |
| Qg - Carga da Tampa | 42 nC | Pd - Dissipação de energia | 100 W |
| Temperatura mínima de funcionamento | - 55 C | A temperatura máxima de operação | + 175C |
| O modo de canal | Valorização | Configuration | Single |
| Tempo de queda | 9 ns | Tempo de Atraso Turn-Off típico | 33 ns |
| Tipo de produto | Tecnologia MOSFET | Tempo de elevação | 22 ns |
| Subcategoria | Tecnologia MOSFET | Tipo de transistor | 1 N-Channel |
Perfil da empresa
Os principais distribuidores de componentes electrónicos
A equipa profissional de vendas
A equipe de produtos profissionais
Certificações
Marcas de cooperação
Embalagem e Expedição
FQA
Circuito Integrado
-
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