Original a-220F 7A 680V N-transístor MOSFET de canal 7N65

N ° de Modelo.
Mosfet
Estrutura
IGBT
Estrutura encapsulamento
Chip Transistor
Nível de poder
Alto poder
Material
Silício
Pacote de Transporte
by Sea, Packing
Especificação
T0-247, T0-3P, T0-220, T0-220F, T0-263
Marca Registrada
ZG
Origem
Auhui Province, China
Código HS
8541100000
Capacidade de Produção
500000
Preço de referência
$ 33.21 - 36.90
Entre em contato conosco

Descrição de Produto

New Original to-220f 7A 680V N-Channel Mosfet Transistor 7n65 New Original to-220f 7A 680V N-Channel Mosfet Transistor 7n65 New Original to-220f 7A 680V N-Channel Mosfet Transistor 7n65

O parâmetro
Símbolo
Valor
Unidade
-
Tensão Drain-Source 		VDSS 650 V

Continua a corrente de dreno 		ID Tc=25 ºC 7* Um
Tc=100 ºC 4.0*
( 1)
Corrente de Dreno Plused (nota 1) 		O IDM 25 Um

Porta a tensão da fonte 		VGS ±30 V
(  2)
Avalanche pulsada única energia (nota 2) 		O EAS 400 MJ
( 1)
Avalanche de Corrente (nota 1) 		IAR 7.0 Um
( 1)
Avalanche repetitivas de energia (nota 1) 		EAR 14.5 MJ
( 3)
Recuperação de diodo de pico (nota 3) 		Dv/dt 4.5 V/ns

Dissipação de energia 		PD
Tc=25 ºC 		A-220/A-262 147 W
A-220F 48

Fator de Potência de dissipação de energia 		PD (DF)
Acima de 25 ºC 		A-220/A-262 1.18 W/ ºC
A-220F 0.38
 
Faixa de temperatura de operação e armazenamento 		TJ ,TSTG 150,-55 ~ +150 ºC

Temperatura máxima para solda 		TL 300 ºC
ZG7N65 é um modo de melhoramento de canal N tecnologia MOSFET, que é produzido usando Zhongxin proprietário da microelectrónica. O processo de auto-alinhadas planar e melhor tecnologia de terminal reduzir a perda da condução, melhorar o desempenho de comutação e aprimorar a avalanche de energia. O transistor pode ser usado em vários circuitos de comutação de potência para maior eficiência e miniaturização do sistema. New Original to-220f 7A 680V N-Channel Mosfet Transistor 7n65 New Original to-220f 7A 680V N-Channel Mosfet Transistor 7n65

O parâmetro
Símbolo
Max
Unidade

Resistência térmica, para o caso de junção 		Rth (j-C) A-220/A-262 0.85 W
A-220F 2.6

Resistência térmica,Junction ao ambiente 		Rth (j-A) A-220/A-262 62,5 W/ ºC
A-220F 62,5
   Off-Characteristics

O parâmetro
Símbolo
Condições de testes
Min
Digite
Max
Unidade
-
Tensão de ruptura Drain-Source 		BVDSS ID =250μA, VGS =0V 650 - - V

Tensão de ruptura de   Coeficiente de Temperatura 		△BVDSS /△TJ ID =250μA, referenciados a  25 ºC - 0.7 - V/C
 
Tensão de corrente de dreno da porta Zero 		IDSS O VDS =650 V,VGS =0V,   TC =25 ºC - - 1 ΜA
O VDS = 520 V, TC =125 ºC - - 10

A passagem de uma corrente de fuga para a   frente do corpo 		IGSSF O VDS =0V, VGS  =30V - - 100 América do Norte

A passagem da corrente de fuga de corpo,   ré 		IGSSR O VDS =0V, VGS  =   -30V - - -100 América do Norte
   On-Characteristics

O parâmetro
Símbolo
Condições de testes
Min
Digite
Max
Unidade

Tensão de limiar da porta 		VGS (TH) O VDS  = VGS  , ID =250μA 2.0 - 4.0 V

Drain-Source   On-Resistance estática 		RDS (ligado) VGS =10V , ID = 3.5A - 1.2 1.5 Ω

Transconductance de avanço 		Gfs O VDS  = 40V, ID =3.5A(Nota4) - 6.5 - S
   Características dinâmicas

O parâmetro
Símbolo
Condições de testes
Min
Digite
Max
Unidade

Capacitância de Entrada 		Os Ciss O VDS =25V,   VGS  = 0V,   f=1.0MHZ - 960 1890 PF

A capacitância de saída 		Coss - 95 178 PF

A capacitância de transferência de ré 		Sir - 13 20 PF
New Original to-220f 7A 680V N-Channel Mosfet Transistor 7n65

 

Outros Tubos Eletrônicos e Transistores

PNEUTEC.IT, 2023