Pei433edj-T1-Ge3 P-Canal 20-V (D-S) Field-Effect Mosfet de transistor

N ° de Modelo.
SIA433EDJ-T1-GE3
Estrutura
Difusão
Estrutura encapsulamento
Chip Transistor
Material
Silício
produto
Sia433edj
tipo de montagem
montagem saliente
tecnologia
mosfet (óxido de metal)
descrição
canal p 20 v 12 a (tc) 3,5 w (ta), 19 w (tc)
categoria
mosfet
número do produto
Sia433edj-T1-Ge3
Pacote de Transporte
/
Especificação
/
Marca Registrada
original
Origem
Chn
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Descrição de Produto


Sia433edj-T1-Ge3 P-Channel 20-V (D-S) Field-Effect Transistor Mosfet

Sia433edj-T1-Ge3 P-Channel 20-V (D-S) Field-Effect Transistor Mosfet

Tipo de FET ;  P-Channel
 ; Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
- Drenagem contínua (ID) @ 25 °C  12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds no, Min Rds no)   1,8V e 4,5V
Sia433edj-T1-Ge3 P-Channel 20-V (D-S) Field-Effect Transistor Mosfet

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