Zg 5n60 600V 2.8A MOSFET para220f 5N60

N ° de Modelo.
Mosfet
Estrutura
IGBT
Estrutura encapsulamento
Chip Transistor
Nível de poder
Alto poder
Material
Silício
Pacote de Transporte
by Sea, Packing
Especificação
T0-247, T0-3P, T0-220, T0-220F, T0-263
Marca Registrada
ZG
Origem
Auhui Province, China
Código HS
8541100000
Capacidade de Produção
500000
Preço de referência
$ 31.59 - 35.10
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Descrição de Produto



ZG5N60 é um modo de melhoramento de canal N, que é produzido MOSFET usingZhongxin proprietário da microelectrónica. O processo de auto-alinhadas planar e melhor tecnologia de terminal reduzir a perda da condução, melhorar o desempenho de comutação e aprimorar a avalanche de energia. O transistor pode ser usado em vários circuitos de comutação de potência para maior eficiência e miniaturização do sistema.



Principais características     
 
VDSS 600 V
  ID 4.0 Um
RDS ( ligado ) 2.0 Ω
Sir 8 PF

Zg 5n60 Mosfet 600V 2.8A To220f 5n60 Zg 5n60 Mosfet 600V 2.8A To220f 5n60 Zg 5n60 Mosfet 600V 2.8A To220f 5n60 Zg 5n60 Mosfet 600V 2.8A To220f 5n60 Zg 5n60 Mosfet 600V 2.8A To220f 5n60 Zg 5n60 Mosfet 600V 2.8A To220f 5n60




     As classificações de máxima absoluta (Tc=25 ºC )                     

 

O parâmetro
Símbolo
Valor
Unidade
-
Tensão Drain-Source 		VDSS 600 V

Continua a corrente de dreno 		ID Tc=25 ºC 4* Um
Tc=100 ºC 2.5*
( 1)
Corrente de Dreno Plused (nota 1) 		O IDM 16 Um

Porta a tensão da fonte 		VGS ±30 V
(  2)
Avalanche pulsada única energia (nota 2) 		O EAS 218 MJ
( 1)
Avalanche de Corrente (nota 1) 		IAR 4.0 Um
( 1)
Avalanche repetitivas de energia (nota 1) 		EAR 10 MJ
( 3)
Recuperação de diodo de pico (nota 3) 		Dv/dt 4.5 V/ns

Dissipação de energia 		PD
Tc=25 ºC 		A-251/A-252 51 W
A-220/A-262 100
A-220F 33

Fator de Potência de dissipação de energia 		PD (DF)
Acima de 25 ºC 		A-251/A-252 0.39 W/ ºC
A-220/A-262 0.8
A-220F 0.26
 
Faixa de temperatura de operação e armazenamento 		TJ ,TSTG 150,-55 ~ +150 ºC

Temperatura máxima para solda 		TL 300 ºC

   CHARACTERIASTIC térmica                                                        
 

O parâmetro
Símbolo
Max
Unidade

Resistência térmica, para o caso de junção 		Rth (j-C) A-251/A-252 2.5 W
A-220/A-262 1.25
A-220F 3.79

Resistência térmica,Junction ao ambiente 		Rth (j-A) A-251/A-252 83 W/ ºC
A-220/A-262 62,5
A-220F 62,5
*
* Corrente de dreno limitado pelo número máximo de temperatura da junção


    Características eléctricas                                                     
 
   Off-Characteristics

O parâmetro
Símbolo
Condições de testes
Min
Digite
Max
Unidade
-
Tensão de ruptura Drain-Source 		BVDSS ID =250μA, VGS =0V 600 - - V

Tensão de ruptura de   Coeficiente de Temperatura 		△BVDSS /△TJ ID =250μA, referenciados a  25 ºC - 0.7 - V/C
 
Tensão de corrente de dreno da porta Zero 		IDSS O VDS =600V,VGS =0V,   TC =25 ºC - - 1 ΜA
O VDS =480V, TC =125 ºC - - 10

A passagem de uma corrente de fuga para a   frente do corpo 		IGSSF O VDS =0V, VGS  =30V - - 100 América do Norte

A passagem da corrente de fuga de corpo,   ré 		IGSSR O VDS =0V, VGS  =   -30V - - -100 América do Norte


 
   On-Characteristics

O parâmetro
Símbolo
Condições de testes
Min
Digite
Max
Unidade

Tensão de limiar da porta 		VGS (TH) O VDS  = VGS  , ID =250μA 2.0 - 4.0 V

Drain-Source   On-Resistance estática 		RDS (ligado) VGS =10V , ID = 2.0A - 2.0 2.5 Ω

Transconductance de avanço 		Gfs O VDS  = 40V, ID =2.0A (NT4) - 4.0 - S


 
   Características dinâmicas

O parâmetro
Símbolo
Condições de testes
Min
Digite
Max
Unidade

Capacitância de Entrada 		Os Ciss O VDS =25V,   VGS  = 0V,   f=1.0MHZ - 510 660 PF

A capacitância de saída 		Coss - 54 70 PF

A capacitância de transferência de ré 		Sir - 8 10 PF
 
   Características de comutação

O parâmetro
Símbolo
Condições de testes
Min
Digite
Max
Unidade
Tempo de atraso Turn-On Td (a) VDD =300V,   ID = 4 A,   RG =25Ω
(Nota 4,5) 		- 16 42 Ns
Tempo de subida Turn-On Tr - 48 112 Ns
Tempo de atraso Turn-Off Td (Desligado) - 48 105 Ns
Tempo de Queda Turn-Off Tf - 38 Ns
Total de carga da porta Qg O VDS  =480v ,   ID = 4 A , VGS  =10V
(Nota 4,5) 		- 15 20 NC
-Gate-Source gratuitamente O programa QGS - 2.8 - NC
-Gate-Drain gratuitamente Qgd - 6.8 - NC
 
-    
Características do Diodo Drain-Source e classificações máximas

O parâmetro
Símbolo
Condições de testes
Min
Digite
Max
Unidade

Diodo Drain-Source contínua máxima corrente de avanço 		É - - 4 Um

  Diodo Drain-Source pulsada máxima corrente de avanço 		O ISM - - 16 Um

Diodo Drain-Source   Tensão de avanço 		VSD VGS =0V, = 4 A - - 1.4 V

Tempo de recuperação de ré 		Trr VGS =0V, = 4 A
A IFD /dt = 100A/μs (nota 4) 		- 320 - Ns

Taxa de recuperação de ré 		Qrr - 2.4 - ΜC
 



Notas:
1:a largura de pulso limitado pelo número máximo de temperatura da junção
2:L=25mH, IAS =4A, VDD =50V, RG =25 Ω , começando a TJ =25ºC
3:DSI  ≤4 bis, di/dt ≤300A/ μs , ≤BVDSS VDD , começando a TJ =25 ºC
4:teste de pulso: Largura de Pulso ≤300 μs , Ciclo≤2%
5:essencialmente independente da temperatura de operação
 


    Características elétricas (curvas)                              
     
1.                                    2.
Fig. 1 Características On-State                                                           Fig. 2 Características de Transferência

              3.                          4.
Fig. 3 Variação da Tensão de ruptura de temperatura vs          Fig. 4 On-Resistance vs Variação da Temperatura Ambiente
 
                       5.                                                          6.
Fig. 5 Características de capacitância                                      Fig. 6 Características de carga da porta

         
7.                                    8.
Fig. 7 Área de operação segura máxima        Fig. 8 corrente de dreno Máxima temperatura vs

9.  (A-251/A-252)
Fig. 9 curva de resposta térmica Transiente (A-251/A-252)

       10.  (A-220/A-262)
Fig. 10 a  resposta térmica transiente curva(Para-220/A-262)

11.  (A-220F)
Fig. 11 a  resposta térmica transiente curva(A-220F)

    Teste os circuitos e formas de onda                                          

12.  
Fig.12 A  resistência do circuito de teste de comutação e de ondas


13.  
Fig.13 A  passagem do circuito de teste de carga de onda &


14.  
Fig.14  indutiva de desaperto de comutação do circuito de Teste & de ondas


   TPACKAGE Dados mecânicos                                              
A-251
DIM Milímetros DIM Milímetros
       
Um 2,2 ± 0,5 H 1,8 ± 0,5
       
B 5.2 ± 0.25 I 0,8 ± 0,05
       
C 5.3 ±0.25 J 0,508 ± 0,015
       
D 4,5 ±0,5 K 2.3 ± 0.25
       
E 6.3 ± 0.25 L 0,5 ±0,1
       
F 2.3 ± 0.05 M 0,508 ± 0,015
       
G 0,6 ±0,05 N 7,5 ± 0,5
       




A-252
DIM Milímetros DIM Milímetros
Um 2,2 ± 0,5 I 0,8 ± 0,05
       
B 5.2 ± 0.25 J 0,508 ± 0,015
       
C 5.3 ±0.25 K 2.3 ± 0.25
       
D 4,5 ±0,5 L 0,5 ±0,1
       
E 6.3 ± 0.25 M 0,508 ± 0,015
       
F 2.3 ± 0.05 N 1.5 ± 0.25
       
G 0,6 ±0,05 Ó 1.0 ± 0.25
       
H 0,7 ± 0,5    
       









A-262


 
DIM Milímetros DIM Milímetros
       
Um 4,70 ± 0,08 E1 7,85 ± 0,08
       
A1 2,75 ± 0,05 E 2,54 ± 0,05
       
C 0,38 ±0,03 L 14,00 ± 0,08
       
C2 1,27 ±0,03 L1 1.275 ± 0,05
       
D 8,40 ± 0,05 L2 3,75 ±0,08
       
D1 6,55± 0,08 B 0,80 ± 0,05
       
E 10.15 ±0.08 B2 1,22 ± 0,05
       






    Nota                                                                                     

 
  1. Exceda o valor máximo do dispositivo em classificações de desempenho pode causar danos ao dispositivo    ,    mesmo a falha permanente, o que pode afetar a confiabilidade da máquina. É sugerido para ser utilizado em 80% das classificações de máxima do dispositivo.
  2. Ao instalar o dissipador de calor   , por favor    preste   atenção para o       momento de torção   e a    suavidade do dissipador de calor.
  3. VDMOSFETs é o dispositivo que é sensível à eletricidade estática   , é necessário para proteger o dispositivo sejam danificados pela eletricidade estática quando em uso.
  4. Esta publicação é feita por Zhongxin  Microelectrónica e regularmente sujeita a alteração sem aviso prévio.

 

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