Zg Band Murf1010CT Super Rápida Recuperação de retificação de silício

N ° de Modelo.
MURF 1010CT
Material
Silício
Pacote de Transporte
by Sea. Packaging
Especificação
DO-201AD / D0-27
Marca Registrada
ZG
Origem
Anhui, Province, China
Código HS
8541100000
Preço de referência
$ 0.001 - 0.004
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Descrição de Produto

Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier  
descrição do Produto
Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier
  Símbolos 6A05 6A 1 6A 2 6A 4 6A 6 6A 8 6A10 As unidades
O máximo de tarefas repetitivas de reversão de pico VRMM 50 100 200 400 600 800 1000 V
  VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V
DC máxima tensão de bloqueio VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V
Média máxima para a frente
Corrente rectificada @ TA = 60 ºC 		I (AV ) 6.0 Amps
Avanço de pico de corrente de surto 8.3Ms metade único Sine-Wave Super impostas à carga nominal ( JEDEC
IFSM
300,0 		Amps
O máximo de transmitir a tensão no cc 6.0A VF 0.95 V
DC máxima corrente inversa TA = 25 ºC na rotação nominal DC tensão bloqueio TA = 100 ºC IR 10.0
1.0 		Um
Máxima com Carga Total corrente inversa , ciclo total média de 0,375 "( 9,5Mm ) comprimento do fio no TL = 105 ºC
IR ( AV )
1.0

Um
Típico da capacitância de junção ( Nota 1 ) CJ 150,0 PF
Típica resistência térmica ( Nota 2 ) RθJA 10.0 ºC/W
Faixa de temperatura operacional TJ -55 a +150 ºC
Temperatura de armazenamento de gama TSTG -55 a +150 ºC

 

Fotografias detalhadas

Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier Zg Band Murf1010CT Super Fast Recovery Silicon Rectifier

 
Símbolos 		1N
5400 		1N
5401 		1N
5402 		1N
5403 		1N
5404 		1N
5405 		1N
5406 		1N
5407 		1N
5408
As unidades
O máximo de tarefas repetitivas de pico de tensão inversa VRMM 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 V
O Máximo de tensão RMS VRMS 35 70 140 210 280 350 420 560 700 V
DC máxima tensão de bloqueio VDC 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 V
Média máxima para a frente de corrente rectificada @TA = 55 ºC I (AV) 3.0 Amps
Avanço de pico de corrente de surto
8.3Ms metade único Sine-Wave Super impostas à carga nominal(JEDEC
IFSM
200.0
Amps
Método)
O máximo de transmitir a tensão no cc 3.0A 		VF 1.0 V
DC máxima corrente inversa TJ =25 ºC na rotação nominal DC tensão bloqueio TJ =100 ºC IR 5.0
50 		ΜA
Típico da capacitância de junção (Nota 1) CJ 50,0 35.0 PF
Típica resistência térmica (Nota 2) RθJA 15.0 ºC/W
Faixa de temperatura operacional TJ -55 a +150 ºC
Temperatura de armazenamento de gama TSTG -55 a +150 ºC


Anhui Zhongxin Semiconductor Co, Ltd foi fundada em 2010 e abrange uma área de 20.000 metros quadrados, que está localizado na província de Anhui, perto de Xangai. A nossa empresa tem foco no desenvolvimento e produção de diodo, diodo retificador,, mosfet diodo schottky, recuperação rápida, diodo rectificador de ponte, bolacha de silício... a nossa missão é ser o mais importante fornecedor de semicondutores ao vosso lado. Bem-vindo ao entrar em contato conosco para as futuras relações comerciais e o sucesso mútuo.




Perguntas mais frequentes sobre:

1, você é fabricante ou trading?
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2. Pode me dar algumas amostras para teste?  
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3. E quanto a entrega ?  
Normalmente o tempo de espera é de cerca de 1 a 3 semanas após o recebimento do pagamento. Para muitas peças normais, temos a quantidade em estoque e temos o sistema para assegurar a entrega será no momento.  

4. O que sobre as condições de pagamento ?
Forma montante for inferior a $10000: 80%,e 20% antes do embarque.
Valor do pedido está entre $10000 e $20000: 50% e 50% antes do embarque.
Valor do pedido é superior a $20000: 30% e 70% antes do embarque.

5. E quanto ao embarque termos ?  
FOB Xangai por mar;        

 

Diodo Retificador

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