600V 7A modo de mejora de canal N MOSFET de potencia F7n60 A-220F

No. de Modelo.
F7N60
Número De Lote
2023
Marca
Wxdh
Paquete de Transporte
Tube
Marca Comercial
WXDH
Origen
Wuxi, China
Código del HS
8541290000
Precio de referencia
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Descripción de Producto

7A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n60 to-220f7A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n60 to-220f7A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n60 to-220f7A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n60 to-220f
PARÁMETRO SÍMBOLO VALOR UNIDAD
7N60/I7N60/E7N60/B7N60/D7N60 F7N60  
Tensión de CC de la fuente de drian máxima VDS 600 V
Tensión máxima de punto de inyección-drenaje VGS ±30 V
Corriente de drenaje (continua) ID (T=25ºC) 7 R
(T=100ºC) 4,4 R
Corriente de drenaje (pulsada) ITM 28 R
Energía de Avalanche de pulso único EAS 400 MJ
Recuperación de diodo pico dv/dt dv/dt 5 V/ns
Disipación total Ta=25ºC. Ptot 2 2 W
TC=25ºC. Ptot 100 35 W
Temperatura de unión TJ 150 ºC
Temperatura de almacenamiento Tstg -55~150 ºC
 
Características
Conmutación rápida
Mejora de la capacidad de ESD
Resistencia BAJA EN ON (Rdson≤1.3Ω)
Carga de puerta baja (típ.: 24nC)
Capacidades de transferencia inversa bajas (típ.: 5,5pF)
100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único
ΔVDS% 100 Prueba
 
Aplicaciones
se utiliza en varios circuitos de conmutación de potencia para el sistema
miniaturización y mayor eficiencia.
Circuito de interruptor de alimentación de balasto de electrones y adaptador.

 
Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto Tipo de paquete Marcar nombre RoHS Paquete Cantidad
7N60 TO-220C 7N60 Sin PB Tubo 1000/caja
F7N60 TO-220F F7N60 Sin PB Tubo 1000/caja
B7N60 TO-251 B7N60 Sin PB Tubo 1000/caja
D7N60 TO-252 D7N60 Sin PB Cinta y carrete 2500/caja
I7N60 TO-262 I7N60 Sin PB Tubo 1000/caja
E7N60 TO-263 E7N60 Sin PB Cinta y carrete 800/caja
 7A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n60 to-220f

 

Semiconductor

PNEUTEC.IT, 2023