BSC160N10NS3G MOSFET N-CH 100V 8,8A/42A TDSON

No. de Modelo.
BSC160N10NS3G
paquete
TDSON-8
calidad
original nuevo
D/C
22+
MFG.
INFINEON
Paquete de Transporte
Box
Origen
China
Código del HS
8542399000
Capacidad de Producción
1000000PCS
Precio de referencia
$ 0.15 - 180.00
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Descripción de Producto

Descripción

BSC160N10NS3GATMA1: N-Canal 20 V 1,2A (ta) 540mW (ta) montaje superficial Micro3™/SOT-23

MFR. N.o de pieza: BSC160N10NS3GATMA1

MFR.: INFINEON

Hoja de datos:  BSC160N10NS3G MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON(Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  BSC160N10NS3G MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO

 

Estado del producto
Activo
 
Tipo de FET
Canal N.
 
Tecnología
MOSFET (óxido metálico)
 
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
 
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
8,8A (ta), 42A (TC)
 
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
6V, 10V
 
RDS activado (máx.) @ ID, VGS
16mOhm @ 33A, 10V
 
VGS(TH) (Máx.) @ ID
3,5V a 33µA
 
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
25 NC a 10 V.
 
VGS (máx.)
±20V
 
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
1700 pF a 50 V.
 
Función FET
-
 
Disipación de potencia (máx.)
60W (TC)
 
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Tipo de montaje
Montaje superficial
 
Paquete de dispositivo de proveedor
PG-TDSON-8-1
 
Paquete / caja
8-PowerTDFN
 
Número de producto base
BSC160








BSC160N10NS3G MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON


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