BSS138K: Canal N 50 V 220mA (ta) 350mW (ta) montaje superficial SOT-23-3
MFR. Nº de pieza: BSS138K
MFR.: ONSEMI
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Estado DE ROHS:
Calidad: 100% original
Garantía: UN AÑO
Estado del producto | Activo | |
Tipo de FET | Canal N. | |
Tecnología | MOSFET (óxido metálico) | |
Tensión de drenaje a fuente (Vdss) | 50 V | |
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C. | 220mA (ta) | |
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado) | 1,8V, 2,5V | |
RDS activado (máx.) @ ID, VGS | 1,6Ohm @ 50mA, 5V | |
VGS(TH) (Máx.) @ ID | 1,2V a 250µA | |
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS | 2,4 NC a 10 V. | |
VGS (máx.) | ±12V | |
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS | 58 pF a 25 V. | |
Función FET | - | |
Disipación de potencia (máx.) | 350MW (ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje superficial | |
Paquete de dispositivo de proveedor | SOT-23-3 | |
Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Número de producto base | BSS138 |
Características • Baja resistencia a−• Baja tensión de umbral de puerta • capacitancia de entrada baja • velocidad de conmutación rápida • Baja fuga de entrada/salida • encapsulado de montaje superficial ultra pequeño−• compuesto verde • ESD HBM = 2000 V según JEDEC A114A; ESD CDM = 2000 V según JEDEC C101C • este dispositivo está libre de Pb−y es compatible con RoHS
Aviso: