IRFZ44NPBF: MOSFET trans N-CH 55V 49A 3 pines (3+tab) TO-220AB tubo
MFR. Nº de pieza: IRFZ44NPBF
MFR.: INFINEON
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Estado DE ROHS:
Calidad: 100% original
Garantía: UN AÑO
Paquete | Tubo | |
Estado del producto | Activo | |
Tipo de FET | Canal N. | |
Tecnología | MOSFET (óxido metálico) | |
Tensión de drenaje a fuente (Vdss) | 55 V | |
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C. | 49A (TC) | |
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado) | 10V | |
RDS activado (máx.) @ ID, VGS | 17,5mOhm @ 25A, 10V | |
VGS(TH) (Máx.) @ ID | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS | 63 NC a 10 V. | |
VGS (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS | 1470 pF a 25 V. | |
Función FET | - | |
Disipación de potencia (máx.) | 94W (TC) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete de dispositivo de proveedor | TO-220AB | |
Paquete / caja | TO-220-3 | |
Número de producto base | IRFZ44 |
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos robustos por los que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste del envase del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
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