La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N

No. de Modelo.
IGBT-Sic Diode TO247 OST80N65HEWF
Estructura
Difusión
Estructura de encapsulación
chip de transistor
Nivel de potencia
Alto Voltaje
Material
Silicio
Paquete de Transporte
Carton
Marca Comercial
Orientalsemi
Origen
China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1kk/Month
Precio de referencia
$ 1.80 - 10.80
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Descripción de Producto


 Descripción general
OST80N65HEWF    utiliza    avanzadas    Oriental-Semi       Trident-Gate patentado      (Transistor Bipolar TGBTTM) tecnología  para  proporcionar  extremadamente  baja  VCE(Sat), bajo la  puerta de  carga, y  excelente  rendimiento de conmutación. Este  dispositivo  es  adecuado  para la     gama media y alta   frecuencia de conmutación  convertidores.



Características
        La tecnología avanzada TGBTTM
      Excelente  conducción  y   pérdida de conmutación
      Excelente  estabilidad  y  uniformidad
      Rápido  y  suave  antiparallel   diodo SiC


Aplicaciones
       Los convertidores de inducción
      Fuentes de  alimentación ininterrumpida  



  Los parámetros de rendimiento clave
El parámetro Valor Unidad
VCES,  min  @ a 25 °C. 650 V
La máxima   temperatura de unión 175 °C.
La IC, pulso 320 Un
VCE(Sat), tipo  @ GVE=15  V 1.5 V
Qg 168 NC




  Los índices  en el máximo absoluto  Tvj=25 °C,  a menos que   se indique lo contrario
El parámetro Símbolo Valor Unidad
  Tensión de emisor de coleccionista VCES 650 V
  Tensión de emisor de la puerta
VGES 		±20 V
   Tensión de emisor de la puerta de transitorios, TP≤10 µs, D 0,01 ±30 V
  Corriente de colector continua1) , TC=25 °C
IC 		114 Un
  Corriente de colector continua1) , TC=100 °C 80 Un
Impulsos de   corriente de colector2) , TC=25 °C La IC, pulso 320 Un
El diodo   corriente1) , TC=25 °C
Si 		114 Un
El diodo   corriente1) , TC=100 °C 80 Un
El diodo   corriente pulsada2) , TC=25 °C Si, el  pulso 320 Un
 Disipación de potencia3) , TC=25 °C
PD 		395 W
 Disipación de potencia3) , TC=100 °C 198 W
Funcionamiento  y la   temperatura de almacenamiento Tstg, Tvj -55 a 175 °C.
Cortocircuito   resistir el  tiempo
Gve  =15 V, VCC≤400  V
 Número permitido  de  cortocircuitos <1000
El tiempo  entre   los cortocircuitos:≥1,0  s
Tvj  =150 °C

SC

5

Μs




Las  características térmicas
El parámetro Símbolo Valor Unidad
IGBT de   resistencia térmica, en la intersección de los casos RθJC 0.38 °C/W
  Resistencia térmica de diodo, en la intersección de los casos RθJC 0.65 °C/W
 Resistencia térmica, junction ambiente4). RθJA 40 °C/W



 Características eléctricas  en  Tvj=25 °C,  a menos que  se  especifique lo contrario
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
Colector-emisor la     tensión de ruptura V(Br) CES 650   V Gve  =0  V, IC  = 0,5 mA


  Tensión de saturación del colector-emisor

VCE(sat). 		 1.5 1.8 V Gve  =15 V, IC=80 A
Tvj=25 °C
 1.7  V Gve  =15 V, IC=80 A,
Tvj=125 °C
 1.85   Gve  =15 V, IC=80 A,
Tvj=175 °C
Gate-emisor         tensión umbral Gve(a) 3.5 4.5 5.5 V VCE  =GVE , ID = 0,5 mA


El diodo  adelante
La tensión

VF 		 2.0  V Gve  =0  V, si  =40 UN
Tvj=25 °C
 2.2   Gve  =0  V, si  =40 A
Tvj=125 °C
 2.6   Gve  =0  V, si  =40 A
Tvj=175 °C
Gate-emisor
 Corriente de fuga. 		IGES   100 NA VCE  =0 V, GVE=20  V
   Corriente de colector de tensión de puerta cero El CIEM   50 ΜA VCE  =650 V, GVE  =0 V



  Características de carga de la puerta
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
El total de   carga de la puerta Qg  168  NC
Gve  =15 V,
VCC=520 V.
IC=80  A
Gate-emisor  cargo Qge  74  NC
 Carga de la coleccionista de puerta. Qgc  30  NC



  Características Diodo cuerpo
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
El diodo  invertir  el  tiempo de recuperación Trr  41  Ns
VR=400 V.
Si=80 A
El diF/dt=500 μs/
El Diodo de    carga de la recuperación de marcha atrás Qrr  141  NC
 Pico de diodo de la   actual recuperación marcha atrás Irrm  7  Un


Nota
1) se    calcula  una  corriente continua  basada  en la  máxima  admisible de   temperatura de unión.
2)     calificación repetitivos; el  ancho de pulso  limitada  por  un máximo de  temperatura de unión.
3)    PD  se  basa  en  un máximo de  temperatura de unión, mediante el  cruce de los casos  la  resistencia térmica.



Solicitar  información
Paquete
Tipo 		Las unidades/.
El tubo 		Los tubos   interiores  de la caja/. Las unidades    interiores  de la caja/.  Cuadros/  caja de cartón interior  Unidades/     caja de cartón  
A247-P 30 15 450 4 1800



 Información del producto
Producto Paquete Pb  Free RoHS  Libre de halógenos
OST80N65HEWF A247 Sí Sí Sí



 
Chian alimentación

Sic Diode To247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum Junction Temperature175, IC, Pulse-320A Vce (sat) -1.45V Qg-168nc Power IGBT


Declaración de los productos verdes

Sic Diode To247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum Junction Temperature175, IC, Pulse-320A Vce (sat) -1.45V Qg-168nc Power IGBT

 

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