A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

No. de Modelo.
OST50N65KTMF
Estructura
planar
Estructura de encapsulación
chip de transistor
Nivel de potencia
Alto Voltaje
Material
Silicio
Paquete de Transporte
Carton
Especificación
35x30x37cm
Marca Comercial
Orientalsemi
Origen
China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1kk/Month
Precio de referencia
$ 1.80 - 5.40
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Descripción de Producto





 Descripción general
OST50N65KTMF    utiliza    avanzadas    Oriental-Semi       Trident-Gate patentado       (Transistor Bipolar TGBTTM) tecnología  para  proporcionar  extremadamente  baja  VCE(Sat), bajo la  puerta de  carga, y  excelente  rendimiento de conmutación.  Este  dispositivo  es  adecuado  para la     gama media y alta   frecuencia de conmutación  convertidores.



Características
        La tecnología avanzada TGBTTM
      Excelente  conducción  y   pérdida de conmutación
      Excelente  estabilidad  y  uniformidad
          Diodo antiparallel rápido y suave



Aplicaciones
       Los inversores fotovoltaicos
       Los convertidores de inducción
      Fuentes de  alimentación ininterrumpida  




  Los parámetros de rendimiento clave
El parámetro Valor Unidad
VCES,   @ min 25°C 650 V
La máxima   temperatura de unión 175 °C.
La IC,  pulso 200 Un
VCE(Sat), tipo  @ GVE=15V. 1.65 V
Qg 78 NC




  Los índices  en el máximo absoluto  Tvj=25°C  a menos que   se indique lo contrario
El parámetro Símbolo Valor Unidad
  Tensión de emisor de coleccionista VCES 650 V
  Tensión de emisor de la puerta
VGES 		±20 V
   Tensión de emisor de la puerta de transitorios, TP≤10µs, D 0,01 ±30 V
  Corriente de colector continua1) , TC=25ºC
IC 		80 Un
  Corriente de colector continua1) , TC=100ºC 50 Un
Impulsos de   corriente de colector2) , TC=25ºC La IC,  pulso 200 Un
El diodo   corriente1) , TC=25ºC
Si 		80 Un
El diodo   corriente1) , TC=100ºC 50 Un
El diodo   corriente pulsada2) , TC=25ºC Si, el pulso 200 Un
 Disipación de potencia3) , TC=25ºC
PD 		250 W
 Disipación de potencia3) , TC=100ºC 125 W
Funcionamiento  y la   temperatura de almacenamiento Tstg,  Tvj -55 a 175 °C.




Las  características térmicas
El parámetro Símbolo Valor Unidad
IGBT de   resistencia térmica, en la intersección de los casos RθJC 0.60 °C/W
  Resistencia térmica de diodo, en la intersección de los casos RθJC 0.85 °C/W
 Resistencia térmica, junction ambiente4). RθJA 40 °C/W




 Características eléctricas  en  Tvj  =25°C  a menos que  se  especifique lo contrario
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
Colector-emisor la     tensión de ruptura V(Br) CES 650   V Gve  =0 V, IC  = 0,5 mA


  Tensión de saturación del colector-emisor

VCE(sat). 		 1.65 1.85 V Gve  =15 V, IC=50  
Tvj=25°C
 1.95  V Gve  =15 V, IC=50 A,
Tvj   =125°C
 2.10   Gve  =15 V, IC=50 A,
Tvj   =175°C
Gate-emisor         tensión umbral Gve(a) 4.0 5.0 6.0 V VCE  =GVE , ID = 0,5 mA


El diodo  adelante
La tensión

VF 		 1.75 2.05 V Gve  =0 V, si  =50
Tvj   =25°C
 1.65   Gve  =0  V, si  =50 A,
Tvj   =125°C
 1.20   Gve  =0  V, si  =50 A,
Tvj   =175°C
Gate-emisor
 Corriente de fuga. 		IGES   100 NA VCE  =0 V, GVE=20  V
   Corriente de colector de tensión de puerta cero El CIEM   10 ΜA VCE  =650 V, GVE  =0 V



 Características dinámicas
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
 La capacitancia de entrada El CIES  4295  PF
Gve = 0 V.
VCE  =25 V
Ƒ=100 kHz.
 La capacitancia de salida Coes  1 14  PF
La  transferencia inversa la  capacitancia Cres  3.9  PF
  Tiempo de retardo de encendido Td(en)  34  Ns


Gve=15 V
VCC=400 V.
RG=10 Ω,
IC=50  
 Tiempo de subida Tr  58  Ns
Desactivar el   tiempo de retraso Td(off)  91  Ns
 Tiempo de bajada Tf  105  Ns
Encender la  energía Eon  1.72  MJ
Apagar la  energía Eoff  1.21  MJ
  Tiempo de retardo de encendido Td(en)  31  Ns


Gve=15 V
VCC=400 V.
RG=10 Ω,
IC=25  
 Tiempo de subida Tr  26  Ns
Desactivar el   tiempo de retraso Td(off)  126  Ns
 Tiempo de bajada Tf  78  Ns
Encender la  energía Eon  0.70  MJ
Apagar la  energía Eoff  0.69  MJ




  Características de carga de la puerta
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
El total de   carga de la puerta Qg  78  NC
Gve  =15 V,
VCC=520 V.
IC=50  
Gate-emisor  cargo Qge  42  NC
 Carga de la coleccionista de puerta. Qgc  12  NC




  Características Diodo cuerpo
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
El diodo  invertir  el  tiempo de recuperación Trr  114  Ns VR  =400 V,
Si=50 A
El diF/dt=500 μs/Tvj   = 25°C
El Diodo de    carga de la recuperación de marcha atrás Qrr  960.  NC
 Pico de diodo de la   actual recuperación marcha atrás Irrm  15.4  Un


Nota
1) se    calcula  una  corriente continua  basada  en la  máxima  admisible de   temperatura de unión.
2)     calificación repetitivos; el  ancho de pulso  limitada  por  un máximo de  temperatura de unión.
3)    PD  se  basa  en  un máximo de  temperatura de unión, mediante el  cruce de los casos  la  resistencia térmica.
4)     El  valor  de  RθJA   se  mide  con  el  dispositivo  montado  en 1 en2  FR-4 junta  2oz. El cobre, en  el   aire  ambiente  con  TA=25 °C.



 Información del producto\
Producto Paquete Pb  Free RoHS  Libre de halógenos
OST50N65KTMF A263 Sí Sí Sí







 
Chian alimentación

To263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum Junction Temperature175, N-Channel Power IGBT


Declaración de los productos verdes

To263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum Junction Temperature175, N-Channel Power IGBT

 

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