descriçãO do Produto
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ClassificaçãO do laser
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Semicondutor GaAIAs Semiconductor
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Comprimento de onda do laser
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808nm e 650 nm
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PotêNcia de saíDa de uma sonda
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1 díOdos laser com 808nm
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PotêNcia de saíDa de probe B
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11 feixes de laser com 650nm e 4 de feixes de laser com 808nm
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PotêNcia de saíDa máXima
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A sonda é180mW e PROBE B é775mW
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DefiniçãO da hora
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10-60 minutos e 6 graus ajustáVel
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Temperatura de trabalho
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-40-55°C
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Humidade relativa
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Abaixo de 80%
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PressãO atmosféRica
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86KPA-106kpa
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A cota(cm)
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Produto
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34*24*16
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Package
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36,2*25,4*30,2
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Peso (kg)
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3.5Kg
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A dor crôNica como artrite de joelho
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Ombro congelado
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A dor aguda como questõEs comuns
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LesãO do sistema de atletismo
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Anti-inflamaçõEs
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A cicatrizaçãO e a acupuntura a laser
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