المواصفات | Anet-1E1S1 |
Anet-1E1S1
-LR |
Anet-1E1S1
4 |
Anet-1E1S1
-4G/LR |
Anet-1E2S1 |
Anet-1E2S1
-LR |
Anet-1E2S1
4 |
Anet-1E2S1
-4G/LR |
Anet-2E4S1 | Anet-2E8S1 |
الارتباط العلوي | CE | CE | CE، 4G | CE، 4G | CE | CE | CE، 4G | CE، 4G | CE | CE |
رابط سفلي | RS485 | RS485، Lora | RS485 | RS485، Lora | RS485 | RS485، Lora | RS485 | RS485، Lora | RS485 | RS485 |
منفذ Ethernet | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 2 | 2 | |
المنفذ التسلسلي | 1 | 1 | 1 | 2 | 2 | 2 | 2 | 4 | 8 |
فني | الفهرس |
فولتية الطاقة | تيار متردد 85 فولت ~ 265 فولت |
استهلاك الطاقة | ≤10 واط |
عنصر المعالجة | ARM32، مقياس حر رقمي ARM9 i.MX2xx، 454 ميغا هرتز |
ذاكرة اللوحة الداخلية | ذاكرة DDR2 داخلية سعة 64 ميجابايت + ذاكرة NAND Flash سعة 128 ميجابايت + 8 جيجابايت قرص ثابت إلكتروني لبطاقة SD |
الواجهة التسلسلية | وصلة قنواتين عزل RS485 |
واجهة Ethernet | سعة تهيئة ذاتية 10/100 قناة واحدة |
واجهة بطاقة SD | يدعم بطاقات الذاكرة SD/MMC التي لا تقل عن 512 ميغا، ويدعم نقاط توقف التوصيل والتشغيل دون إيقاف التشغيل لمتابعة تخزين البيانات |
السلامة | جهد المقاومة لتردد الطاقة: تيار متردد 2 كيلو فولت 1 دقيقة بين طرف الاتصال ومصدر الطاقة الإضافي |
مقاومة العزل: الإدخال، الإخراج إلى الشكل> 100 ميجا أوم | |
البيئة | درجة حرارة العمل : -20 درجة مئوية ~ +55 درجة مئوية |
درجة حرارة نقل التخزين : -25 درجة مئوية ~ +70 درجة مئوية | |
الرطوبة النسبية : ≤ 95% ( +25 درجة مئوية ) | |
الارتفاع : ≤ 2500م | |
اختبار EMC | اختبار المناعة EEC61000-4-2 ESD من الفئة 4 |
اختبار مقاومة IEC61000-4-4 لفئة مجموعة النبض المؤقت السريع الكهربي 4 | |
اختبار المناعة (الصدمة) وفقًا للمعيار IEC61000-4-5 من الفئة 4 | |
المناعة من الاضطرابات التوصيلية وفقًا لمعايير IEC61000-4-6 الخاصة بتحفيز مجال التردد اللاسلكي من الفئة 3 |