MOSFET discreto dell'unità di potere di 4A 600V SVF4N60D/F/T/K/M/MJ

Model No.
SVF4N60D/F/T/K/M/MJ
colore
nero
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
AC 85-265V
Marchio
Silan
Origine
China
Codice SA
8541290000
Prezzo di riferimento
$ 0.03 - 0.14
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Descrizione del Prodotto

- Strato di dati
 

* Descrizione generale

SVF4N60D/F/T/K/M/MJ è Un transistore di effetto del giacimento del MOS di potere di modo di aumento del N-channel che è Prodotto using la tecnologia riservata di Silan F-CellTMstructure VDMOS

La cella planare migliore della banda ed il terminale migliore dell'anello di protezione sono stati adattati particolarmente per minimizzare la resistenza della su-condizione, per fornire la prestazione superiore di commutazione e per sostenere l'impulso dell'alta energia nel modo di commutazione e della valanga.  

Queste unità Sono ampiamente usate nei fornitori di potere di AC-DC, nei convertitori di DC-DC e nei driver del motore del H-ponticello PWM


* Caratteristiche
 

1. 4A, 600V, RDS (sopra) (typ. ) =2.0@VGS=10V  
2. Carica bassa del cancello  
3. Crss basso 
4. Commutazione veloce 
5. Possibilità Migliore di dv/dt


 


* Disegno schematico tipico di applicazione
 

4A 600V SVF4N60D/F/T/K/M/MJ Power Discrete Device MOSFET
4A 600V SVF4N60D/F/T/K/M/MJ Power Discrete Device MOSFET












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* Inventario abbondante e breve termine d'esecuzione circa 3-7 giorni
* una garanzia da 1 anno
* supporti 24hrs dalle nostre vendite e dalla squadra di ricerca & Sviluppo




Note

* Le maschere sono catturate dalla macchina fotografica
* Potete metterseli in contatto con per un migliore prezzo
* Ritenere libero di metterseli in contatto con se abbiate voluto vedere altri modelli

4A 600V SVF4N60D/F/T/K/M/MJ Power Discrete Device MOSFET



4A 600V SVF4N60D/F/T/K/M/MJ Power Discrete Device MOSFET

 

Circuito integrato

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